三极管作为开关使用时,要提高开关速度可

我刚给你新设计了一个电路,请看图；设LED工作电流约10mA,9013的放大倍数为＞100.通用计算公式I=U/R,详细的计算方法我这里就不一一解释了,你自己仔细想想吧.

因为放大时Uce太大,不能满足开关的要求再问：是不是说线性的时候也可以，只不过不保险，为了保险起见，要在饱和区？再答：线性区域可以等效为带内阻的开关

三极管各极间的结电容是影响开关速度的主要原因.若使管子处于深度饱和状态,其各极间的结电容将被充满电,这样充放电时间就长,从而使开关时间延长.国产的3DK4这类开关管,结电容很小,故开关速度很快.

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

就合正常时一样!把C接输出,B接输入,E接地

集电极限流电阻根据你的需要来确定（饱和时三极管压降很小,0.1V左右）；三极管饱和时的集电极电流除以三极管放大倍数就是基极电流,算出基极限流电阻即可.一般基极电阻适当小一些,确保三极管进入饱和状态.

一定要加基极电阻,否则基极电流过大,驱动电路可能无法承受.另外基极电流过大,不容易快速退出饱和进入截止关断状态,会影响开关频率.当然基极电流要足够大,确保在一定的负载下三极管能够进入饱和状态.

三极管都已有它自己的开关频率特性,这个特性外界改变不了,在管子符合这个电路的频率后,我们只能提高管子的开关瞬时性,即提高开与关的速度,缩短波形上升沿和下降沿的时间,不让管子在开与关转换时进入放大状态,

提高抗干扰能力,防止误触发.

三极管基极电1V以上就能达到饱和导通,小于0.7V则截止,以此为依据选择限流电阻值.再问：不用考虑电流么？那查看一些开关管的芯片手册时，上面最大饱和压降那些参数，不用靠它来计算吗？再答：三极管基极电压

三极管作为开关时其工作在饱和状态,这时三极的放大倍数在20倍左右.一般是用NPN三极管,应根据所需的电流来选择基极的电阻,电阻太小了功耗大（浪费电）,电阻大了达不到所需的电流.电阻=V（电源电压）*2

负载放在集电极是共发射极电路,具有电流、电压放大能力.优点是三极管的饱和压降小,在同一电源下继电器得到的电压较高,还可以选用不同的电源电压以适应各种继电器.负载放在发射极是共集电极电路（射极跟随器）,

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

是放大还是开关,开关的话直接让管子饱和或截止就好了放大,要根据具体电路计算静态工作点和交流参数才可以确定那个结正反偏只是管子正常工作的条件,即使工作在放大状态下的管子,只要输入电流够大,管子一样饱和

可以.现在,大多数漏电保护器,都是集：短路保护、过载保护及漏电保护为一体,具备开关的功能.还要正确接线.

这样很好计算了：5V/Rout=A,A/B=C,所以C是你最小的基极电流.如果你的输入电压Vin也用5V,那么(5-0.6)/C=Rin,你就可以选Rin了,为使三极管可靠饱和,选(5-0.6)/Ri

对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,

请看附件,希望帮到你

干吗这么关注这些名词呢?Vgs和Id有一定的曲线关系,当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流,电流不再增加,就是饱和了.就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系.最终只要知道电压电流关系就可以,至于半

三极管的工作状态是工作在放大状态还是开管状态,是由其基极电流确定的.