三极管的两个pn结都是反向偏置 则三极管工作在

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两

首先要知道：保证管子能正常工作的前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后1.发射区向基区扩散电子,2.电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流.3.电子被集电极收集.改变基极电流就可以

三极管的结构是pnp或npn三层,但并不等价于两个背对背pn结,主要的特殊之处有2点,(1)中间的基区非常薄（微米到亚微米级的）；(2)发射区的掺杂浓度非常高（因此有大量的“载流子”）导不导电主要看2

集电结反偏应该是截止状态啊.怎么会是放大状态再问：有相关的文档吗再答：。。任何一本模电书都有讲。或者你百度一下三极管的工作状态。百度文库第一篇就有再答：。。。不过。我刚刚看了一下我好像记错了。再问：哦

因为半导体本身也是能够导电的,PN结的反向电流其实就是半导体的导电电流罢了.不过导电性能非常差,不过比一般的绝缘体导电性能还是要强的.反向电流是毫安级别的.而导通的电流一般是用A作为单位的.

P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN结两侧的积累,形成电偶极层(图4).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行

正偏和反偏针对PN结而言,不止三极管.PN结有P,N两个区,所谓正偏就会指P区的电压比N区高,如果高出0.7V以后,PN结就导通,.反偏就是N区电压比P区高,反偏时PN结截止.三极管里面有两个PN结,

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用.补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的B

选D三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.

放大状态：三极管的PN极只有处在正偏才能正常工作（放大）.但是如果正偏过大,超出三极管的饱和电压,就会出现饱和,失去放大功能.反偏当然不能工作了.截止了.

反向偏置电压就是集电结的P端接低电平、N端接高电平,对于PN接来说这就是接的反向电压.反向偏置电压并不是集电极电阻提供的,是三极管的工作电源通过集电极电阻提供的,集电极电阻只是提供一个通道而已.集电极

单单是三极管是不具备信号放大作用的,需要周围接入电阻配合起来才有放大信号（不是功率放大）作用

1.正向电压加在PN结上,PN结导通,反向电压加上后,PN结截止；2.二极管的基本结构也是一个PN结,存在导通电压的问题,即正向电压大于一个值的时候才会导通,否则就截止,一般硅二极管为0.7V,锗二极

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

很小,导通,很大,截止

这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态；当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.再问：很小和小，很大和大有区别吗再答：基本没区别。。。

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!