为什么使用NPN三极管,基极通过一个470欧姆电阻到单片机

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

因为你没发电路图上来,我想你这可能是一个发声的电路.在集电极与基极之间加上交流的正反馈电路,使电路尽早地进入饱和和截止状态.

说的很对.

在EWB和orcad中没有9013等型号,而且9013的有不同的型号,放大倍数也不一样；当在仿真中,使用增益较小的三极管仿真时候,会出现放大状态的.因此用型号不同的三极管仿真是很难得出正确结论的.

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→Rb→b→e→地；IC：VCC→Rc→c→e→地；IE=IB+

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

1、取基极串入电阻（欧姆）=HEF*【输入信号电压（V）-0.7（V)】/0.3(A）即可,选单个三极管只要输出能力满足要求就可以实现.2、耗散功率计算正确,但需要考虑截止到饱和过渡期间功耗较大的问题

这个问题与具体的三极管型号和电源电压有关.假定采用9013三极管,其Vbe饱和电压为1.2V,又假定你采用5V直流供电,集电极-基极间的偏置电阻假定采用1K,则计算如下:R(饱和导通时的基极偏置电阻)

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

这是因为集电极电阻分压造成的,由于集电极电流很大那么这个大电流流过集电极电阻时就会使得电压增大,由于电源电压固定不变,那么当集电极电阻分压增大时,自然Uce就减小很多,而Uce又是我们的输出电压,所以

一定要加基极电阻,否则基极电流过大,驱动电路可能无法承受.另外基极电流过大,不容易快速退出饱和进入截止关断状态,会影响开关频率.当然基极电流要足够大,确保在一定的负载下三极管能够进入饱和状态.

因为指针万用表在测电阻时,黑笔是接表内电池的正极、红笔接表内电池的负极.所以,当黑笔接触NPN管B极时是在B极上加了正压,红笔接触其他两管脚时加的是负压,这时管子的b-e、b-c之间的两只二极管是正向

为了给三极管提供合适的基极静态偏置电流,让三极管有一个合适的静态工作点.

不能直接取代.再问：那基极的电流为什么前面有个负号呢？是PNP管的原因吗？再答：PNP三极管发射极和集电极导通是需要在基极和发射极加-0.7v电压，即发射极电压要比基极高0.7V，而NPN三极管集电极

不可以的.哪有这么高的电压加到三极管再问：为什么，有什么文档可以说明一下吗？再答：三极管本身就是两个PN结。PN结的电压是非常低的再问：1N4007也是PN结啊，也可以加在220V交流上用作整流啊。再

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

是基极和发射极正偏,不过也不用0.7V,硅管0.5几,锗管大概0.2多久导通了,前提是集电极和发射极也是正偏.基极电流是流向发射极或者从发射极流出.

三极管有三个工作装态,截止,放大和饱和,一般像音响是在放大装态,其它的基本上都是在另外两个装态的,假如把三极管比作一个水龙头的话,那么,基极相当于是水龙上的可以扭动的开关,集电极相当于进水口,发射极相

不管NPN或PNP其主要都是PN晶体接面的关系形成空乏区,这个基极就是掌控这两边空乏区开关当BE顺向导通,带动集极空乏区也流通,BE导通电流越大,空乏区越小,CE也因为B极电子活跃而相形导通作用文字这