作业帮二极管加上正向偏置电压时当npn型晶体管处于放大状态什么级电位最高
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/07/15 08:07:01
把二极管的正极加负电压负极加正电压称为正向偏电压,正极加正电压负极加负电压叫反向偏电压
二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～
二极管具有单向导电性,所以正向,可以认为是小电阻或者说是无电阻,反向是超大电阻.原理是因为二极管是有两种性质不同的半导体,拼结而成的,怎么说呢,一种半导体,含有很多允许自由电子通过的空穴,但自己却含有
半导体二极管加正向电压时(导通)加反电压时(截止)这种特性称为单向导电性.
答案：减小；温度；理由：二极管有两个电阻：直流电阻,和微分电阻（也叫动态电阻=du/dI）,前者随电流增大而增大,后者随电流增大而减小,看一下伏安特性曲线就知道了,很显然.ICEO是三极管的反向饱和电
答案：导通,截止,
这个问题没考虑过,因为温度影响很小,几乎可以忽略.如果你很想研究这个问题,我可以给你提供几个二极管供你研究.
当加在二极管上的反向电压过大时,二极管会（击穿）损坏,流过二极管的正向电流过大时,二级管会（发热烧坏）.
代表当电流通过二极管时电压会下降0.6-0.8V,比如原来电压为10V通过二极管后下降为9.5V左右,正向是指二极管有方向性,正向导通,反向截止.锗与硅二极管的性能不同所以压降也不同
摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数
那是,当正向电压大于二极管的导通电压时,二极管就变成导体了.
温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C,反向电流约增大一倍.
硅二极管一般正向压降为0.7V,04V无法导通所以选B再问：把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）A基本正常。B将被击穿。C基本烧坏。D电流
＞0.7V(硅管)时,二极管才能导通.
在二极管两端加上正向偏置时,将电源的正极与（P）区相接将电源的负极与（N）区相接时二极管（正）偏,处于（导通）状态加反向偏置时,处于（截止）状态.
测得的是正向导通电阻而不是正向电压；
若无外界电场,扩散电流和漂移电流是动态平衡的.加上：正向偏置电压、或反向偏置电压 之后,即使它们电压是相同的,但是方向不同,它们对 空间电荷区宽窄,影响就是不同的.外加电源所提供的载流子,对扩散电流、