伏安法测二极管的特性数据处理-搜答案-智慧作业帮

显然不可以啊,二极管的内阻正向导通时很小,反向截止时很大.由于电流表自身也有内阻,避免太大的误差,二极管正向导通时,应该采用外接法,反之则采用内接法.

在要添加曲线的那张图上右击新建一个图层就可以了

因为正向电阻较小,不能把电流表的电阻合在里面,反向电阻大,相对电流表的电阻可以忽略所有用内接法.

二极管正向电阻很小,反向电阻趋于无穷大,测大电阻的时候因为电流表分压引起的误差相对来说就很小了,应该用内接法；测正向较小电阻的时候电流表的分压作用于二极管接近,所以要改用外接法,简称“大内小外”.

这个关系不时线形的,也不能简单定性说大或者小二极管导通时,两端的电压在二极管未击穿的情况下基本不变,而这个电压也可以认为就是管压降,这个时候根据二极管的特性曲线算出来的电阻可不是一个固定的值,电流越大

呵呵,区别不大,因为二者本质是一样的,要知道,二极管的本质就是PN结!二极管就是利用了PN结的单向导电性制成的.实际的二极管的IV特性曲线与PN结IV特性曲线的那点区别都是由于接触以及其他寄生因素带来

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图.这种图像常被用来研究导体电阻的变化规律,是物理学常用的图像法之一.

电阻:测量结果在坐标图上显示的是线形直线二极管:有两种情况1.极性反的时候,结果是一条沿X轴的直线2.极性正确的时候,结果是电压在0.7V以后是线形直线,

①理想二极管模型---正向导通时,压降为0；反向截止时,电流为0.该模型通常用于防止电源反接和开关电路中；②恒压降模型---当二极管工作电流较大时,其两端电压为常数（通常硅管取0.7V,锗管取0.2V

正向特性：可导通,但电压需超过死区电压（门槛电压）反向特性：不导通,但如果电压超出一定值会反向击穿

数据处理?难道不是直接通过电流表和电压表读数,然后将数据带入公式吗?

电阻的伏安特性是一条倾斜的直线,而二极管的伏安特性是非线性的,象一条二次曲线.

可以.所说的“伏安特性”就是“输出特性曲线”.二极管通过加在其上的正、反向电压,且测量其每个电压下通过的电流,得出一一对应的电压/电流数值,在X-Y坐标上可绘出一条曲线.三极管是一簇曲线.（没空间写了

其实主要就是开启（开门）电压大小的差别（硅的开启电压0.7v左右,锗的开启电压0.2v）其他基本一样的.说白些,就硅需要0.7v左右的导通电压或说导通后有0.7v电压降.

电阻器是线性元件,R=V/I,电压和电流成反比.二极管是晶体管类非线性元件,根据PN结的开关性能,来对其它电元素控制调整.你说的稳压二极管和普通二极管,概念不妥,在特定条件下,构造完全相同,只是用途不

因为VBE加在三极管的基极与发射极之间的PN结即发射结上该PN结就相当于一只二极管因此三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似.满意请采纳

在一定的光照下,太阳电池产生一定的电流ISC,其中一部分是流过P-N结的暗电流,另一部分是供给负载的电流.故可把光照P-N结看作是一个恒流源与理想二极管的并联组合,恒流源的电流就是最大的光生电流ISC

电阻为线性负载,伏安特性为直线,二极管为非线性负载,特性为曲线.

首先应该知道稳压二极管的最大稳定电流,[如果不知道应该以固定电压按10毫安来计算限流电阻]在固定电压的情况下.要先计算电阻的限制电流,即固定电压减去稳定电压来计算.计算出来的电阻值要加!0--20%的

用multisim可以精确地画出二极管的伏安特性.