作业帮共射放大电路晶体管由50变成100,则电压放大倍数
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/07/14 20:43:50
Au＝－β（Rc／／Rl）／rbeRi＝Rb／／rbeRo＝RcAus＝（Ri／（Rs＋Ri））Au再问：rbe是什么？？？再答：rbe是根据静态工作点的静态电流求出的be间等效电阻，他的计算公式是r
静态分析：根据KVL定律Vcc=Ib*Rb+Vbe+Ve其中Ve=Ie*Re=（1+β）*Ib*Re,（这是因为集电极电流恰好是基极电流的β倍）所以Ib=（Vcc-Vbe）/（Rb+Re+β*Re）又
1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a
看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.
三极管内电流的关系式：发射极电流＝基极电流＋集电极电流＝(1+β)基极电流.\x0d 共基极电路,是基极作为输入、输出的公共点(交流信号接地点),输入的是发射极电流,输出的是集电极电流.即输出电流小
只需要看那个端子为公共端.交流通路就是将电源电容短路,电感开路得到的电路.图中第一第二级射极经电容到地,所以是共射.再问：明白了，谢谢哈
增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.
纠正你的一个错误,不是发射极,而是发射结,后面那个应该是集电结.所谓正向偏置和反向偏置,其实是针对PN结而言,如果P区的电压比N区高,称为正向偏置,反之N区的电压比P区高,则称为反向偏置.晶体三极管都
应该到datasheet中查,而不是计算,除非你是设计晶体管
找本电工学的书,仔细的看看共集电极,共发射极,和共基极电路,各自的特点,具体电路还得具体分析
变大,因为电压放大倍数Au=-（β*Rl'）/rbe,β与放大倍数成正比.以上前提是：不失真.
电压放大倍数大,功率放大倍数最大,电流放大倍数大=β,
赶紧看书吧,网上回答的三言两语解决不了基本问题,如果书上的那句话,那个论点搞不清楚可以提出.
只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!
放大倍数不一样偏置电路参数也不一样如果是工作在放大区替换后可能会使模拟失真,如果你是设计电路那就无元所谓,只要你外围元件参数正确就一样能工作!再问：是一个简单的共射极放大电路，不太记得清楚了，是会发生
共射放大电路输入级是基极B,输出级是集电极C；共集放大电路输入级是基极B,输出级是射级E；共基极放大电路输入级是射级E,输出级是集电极C；这样记,共X放大电路就是这个X既不做输入级,也不做输出级.
随着数模知识的学习,这些会逐渐清楚的.信号源的电压接负载以后电压会变小,正常,且接示波器相当于又接了一个负载,电压会更小.电容两端的相位差90度,本来就是这样的.
1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.
1,输出取样电路,基准电压、比较放大电路和调整管.2,与、或、非3,卡诺图,真值表,逻辑表达式,逻辑电路图和忘了4,0和1,或高电平和低电平5
这个简单,看电容的位置就可以区分出来.从输出耦合电容的位置,可以明显区分出共集电极和共射极电路；如果电容从集电极上引出就是共射极电路；如果是从发射极引出就是共集电极电路；而共基极电路中明显的区别是基极