判断图中电路的各晶体管T1.T2.T3分别构成何种组态的电路

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/20 00:56:03
如何判别电路中晶体管的工作状态?

一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态.当VBEVE时,发射结处于正向偏置状态,集电结处于反向偏置状态,此时晶体管工作在放大状态.

如图在硅晶体管电路中 工作状态

工作在饱和导通状态.忽略三极管的基极电阻,则Ib∽Vcc/Rb=0.1mA如果工作在放大状态,则:Ic=β*Ib=40*0.1mA=4mA而Ic的最大电流肯定是小于Vcc/Rc=3mA所以,三极管只能

给两个阻值不同的电阻R1,R2加热.分别加热t1,t2的时间.则有公式:串联电路中t=t1+t2;并联电路中:t=(t1

该结论只能是同一电源供电,电阻产生相同的热量,设电源电压为U,R1单独接在电源上,产生热 量Q所以时间为t1,有:Q=U2t1/R1,得:t1=QR1/U2;R2单独接在电源上,产生热量Q所

proteus 中晶体管的放大倍数由什么决定的?是晶体管本省的特性还是电路结构

看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.

电路如图所示,晶体管T的电流放大系数β=50,Rb=300K欧,Re=3K欧,晶体管T处于什么状态?

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差(1+β)倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态:

已知晶体管的β=50分析图题所示各电路中晶体管的工作状态

A)为饱和状态B)截止状态C)放大状态再问:(a)和(c)怎么计算的啊再答:A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

在单管晶体管放大电路中,电压放大倍数小的电路是

共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1+β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.

多级放大电路中怎样判断某一级的晶体管的组态,共射,共集,共基?还有怎么画其交流通路?

只需要看那个端子为公共端.交流通路就是将电源电容短路,电感开路得到的电路.图中第一第二级射极经电容到地,所以是共射.再问:明白了,谢谢哈

判断图中电路的各晶体管T1、T2、T3分别构成何种组态的电路?

T1是共基、T2共射、T3共集(又称射跟).

晶体管电路

1)Re=Ue/Ic=2k;Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2)基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍;则:Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

在图中所示电路中 晶体管工作于何种状态

第一个工作在放大区第二个是饱和第三个截止,也可能是烧坏了,要看数据手册,发射结可能被击穿,要是不考虑器件损坏的话,最后一个是截止区

在图示电路中,各晶体管的工作状态均不正常,现用直流电压表测得晶体管各引脚的对地静态电位,测量值已标在图中,试分析其原因,

a、管子坏了,基极b与发射极e短路了b、管子坏了,集电极c开路了c、管子没有坏,因为基极b与发射极e之间的电压达到一定的饱和值了,促使集电极c与发射极e导通了.

判断下晶体管的工作状态

分析:图中的三极管属于PNP管,从数据看,基极电位异常(正常时它的电位应是居中,不是最低).三极管be电压是0.3V(应是锗管),而ce电压只有0.2V,所以判断此管似乎损坏了.再问:那前面的负号对判

aaa对于一个晶体管的电路,如何判断它是共基电路还是共射电路还是共集电路

这个要看输入与速出的公共端,如果是e端就是共射,b就是共基,c共极.当然还有其它一些判断方法!

关于放大电路晶体管ube的问题

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

怎么区分晶体管的三种电路?

哪个极用作输入输出公共端,就是共哪个极的电路.例如共射,信号从基极与射极输入,则会从集电极与射极输出.

晶体管放大电路中,如果将晶体管的B值由100增大到180,电路还能正常工作吗?

放大倍数不一样偏置电路参数也不一样如果是工作在放大区替换后可能会使模拟失真,如果你是设计电路那就无元所谓,只要你外围元件参数正确就一样能工作!再问:是一个简单的共射极放大电路,不太记得清楚了,是会发生

测得工作在放大电路晶体管的三个电极电流如下图所示,判断它们各是NPN管还是PNP管,在图中标出e,b,c极;

NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压<基极电压<发射极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.3