半径为R的均匀带电圆盘的电场强度可以用高斯定理

当没有挖去小块的面积S时,球心处的电场强度为0（这一点可以用微元法证明）,现挖去小块的面积S（可视为点电荷）,挖去的电荷量为QS/（4πR²）,在球心处产生的电场强度为kQS/(4πR^4)

/>由高斯定理可求得球体内的电场强度    E=ρr/3ε   (r<R)    &

由高斯定理可等效为球心点电荷,因此场强为sigma/4epsilon0,电势为r*sigma/2epsilon0再问：是这个答案再答：没错就是这个

用高斯定理做就可以了.做与球面同心的球面作为高斯面,半径设为2R.由对称性,场强沿高斯面半径方向,高斯面上各点场强的大小处处相等.由高斯定理：E*4π(2R)^2=4πR^2σ/ε0E=σ/4ε0再问

【1】均匀带电球面,电场是对称分布的,高斯面的选取就选和带电球面同球心的球面,这样高斯面上的各点的场强大小相等,方向沿着球半径,也就是各点的球面法向方向.高斯面的电场强度通量Φe=∮E×dS（矢量积分

用补偿法,中间打洞相当于完整的平面和洞的位置有一带相反电荷的圆盘的叠加,离无限大平面r处的场强为：t/2e0,均匀带电圆盘轴线r处场强为：t*[1-r/(a^2+r^2)^1/2]/2e0,合场强为两

这个没有办法用高斯定理做,假设用高斯,首先要做个闭合的面,这个面只能是个球面（别的面就更复杂了）,而这个球面上的场强肯定是大小不均的,你又不能用电量除以面积积分得场强.要求解的话,要积分,把半球面细分

把半球面看作许多圆环,积分即可没有必要在这问这些问题,把教材静电场例题及课后题做会就行了前提是会点微积分知识

1、电场力对电荷做的功,等于此电荷在该电场力作用下电势能的变化.不妨这样假设,所有电荷自外层到内层,逐层运动到表面上,则对某一些电荷来说,只有内部的电荷对它有电场力的作用,也就只需考虑“内部”电荷所产

1题取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即

在半圆上取线元,dl=rdθ其线元带点量为dq=λdl=q/(πr)*rdθ所以dE=dq/4πε0r^2因为各个电荷元在0点产生的dE方向不同,所以把dE分解其中dEy=0,dEx=dEsinθ所以

当n相当大时,每一小段都可以看作一个点电荷,其所带电荷量为q＝Q/n,由点电荷场强公式可求得每一点电荷在P出的场强为E=k*Q/(nr1^2)=kQ/[n(R^2+r^2)],各小段带电环在P处的场强

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

e=Qr/4π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)v=3Q/8π爱普戏弄零R－Q（r的平方）/8π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)

分情况考虑,当点r（PQ距离）＞R时,根据高斯定理（电通量φ=E*s=4πkQ）可知,P点所在以球壳球心为球心的球上各处电场相等,带电球壳对P点产生的电场等于球壳球心对其产生的电场,再由高斯定理推出E

Q/3.14RR

半径r,宽dr的圆环对距离为a的电场强dE=(kσ.2πrdr)/(r^2+a^2)a/(√r^2+a^2)所以总场强E=∫_0^R▒dE=kσπ.-2(t+a2)-1/2∣0R2=2kσ

不是零,用微积分来求解.先建立x轴,然后任取一段微元dx,然后利用电场强度公式,再利用微积分求解.

例4．薄圆盘轴线上的场强.设有一半径为R、电荷均匀分布的薄圆盘,其电荷面密度为σ.求通过盘心、垂直与盘面的轴线上任一点的场强.把圆盘分成许多半径为r、宽度为dr的圆环,其圆环的电量为dq=σds=σ2