单晶硅半导体导电性随温度-搜答案-智慧作业帮

金属依靠自由电子导电,半导体依靠电子和空穴导电,在单位体积内,金属中自由电子的数目大于半导体中电子和空穴的数目.金属的导电性也会比半导体好.

如果考试你就填减小,是负温度系数,其实不一定的.再问：题中只提到R2为用半导体热敏材料制成的传感器，和R2处发生火警，应该怎么判断？再答：你是考生么？我不知道什么题目，但是大学之前一般都只是考虑空穴效

导体或半导体导电原理一样都是靠原子内部的电子运行轨迹的缝隙导电.这个缝隙的大小多少决定物质的导电性是否好.也就是说物质是否导电取决与原子外的电子环绕路线.原子核对电子吸引力的大小.而外界环境的改变对于

导电性,与单位体积中带电微粒的数目有关,简单一点,就是带电微粒的总浓度.金属导电,是因为有自由电子,所以单位体积内自由电子多,导电性好.而温度升高,电子的热运动会加快,会影响电子在电场中的定向运动,因

这个变化很小可以忽略不记,只有热敏电阻才有变化的.

温度上升后,半导体内部的电子或者空穴摆脱原子核对其控制的能力就会增大,成为自由电子或空穴,从而以这些为基础的载流子浓度就会增大,导电能力也就增大.换言之,其最阻变大.

单晶硅是制造半导体的重要材料,需要在单晶硅中掺入微量的第ЩA族元素,才能形成P型半导体,掺入微量的第VA族元素,形成N型半导体.

它内部是在硅或锗单晶基片上,加工出P型区和相邻的N型区即PN结正向偏置时,电阻很小,外于导通状态,PN结反向偏置时,电阻很大,外于截止状态.综上所述,晶体二极管是用硅或锗材料制造的半导体器件,它的内部

半导体的电阻是随温度上升而下降最后在一个值稳定下来之后再上升超导体在临界温度一下都是为0,超过临界温度电阻随温度上升

如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.\x0d如果是掺杂半导体,这个过程比较复杂,先下降,后上升,最后再下降.

因为非金属材料中的电子或载流子随着温度的升高,运动能力加强,传递电荷的能力增强,导电性就增加了.

金属内部主要是金属阳离子和自由电子,电子可以自由移动,而金属阳离子只能做很小范围的振动.当温度升高时,阳离子的振动加剧,对自由电子的定向移动产生了阻碍作用,故导电能力下降.粒子的热运动由于温度升高而加

1、这么说不太严谨,对于不同种材料,比如Si和GaN,本征Si的导电性要比低掺杂GaN的好.2、对于同一种半导体,掺杂之后在常温下杂质电离的载流子比本征电离的要多,所以掺杂半导体导电性比本征好.3、对

有啊,这就是二极管的特性.

如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.sssss

因为电子随温度的升高而运动加速,所以导电性能提高.

半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感.纯度很高的半导体材料称为本征半导体,常温下其电阻率很高,是电的不良导体.在高纯半导体材料中掺入适当杂质后,由于杂质原子提供导电载流子,使材料的电阻率大为降低.这

当然啦一般来说,金属导电性随温度升高而减弱,电解质溶液导电性随温度升高而增强.

一般半导体导电性都会随温度升高而显著增强,这是因为提高温度,会有多得多的价带电子获得能量而到达导带.

以硅为例,在一定的温度范围内,半导体的电阻率随温度的升高,而变小.因为半导体价带上的电子,随着温度的升高,不断地被激发到导带,使载流子的数量增加,其导电性得到不断加强,电阻率变小；当温度上升到一定高度