卤化氢活性:HI>HBr>HCl>HF

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/08 13:54:49
亲电加成反应 卤化氢的活性顺序

这个反应也是不是什么氧化还原..和你说的那个还原性啊氧化性啊是没关系的~只和酸性有关系~卤化氢的亲电加成反应的机理是卤化氢电离出H+离子后H+做亲电试剂进攻CC双键然后卤离子再去进攻C+离子其中卤离子

对于同一烯烃,卤化氢的活性次序是怎样排列的?

活性:HI>HBr>HCl>HF烯烃的链越长越稳定

关于HI HBr HCL 的酸性大小

正解是氧化性越强,对应最高价水化物的酸性越强.如高氯酸酸性大于高溴酸大于高碘酸.(氟元素无正价).而HCLHBrHI的酸性是由电离来看的.化合物结构相似,氯原子的半径小于溴小于碘,对核外电子的吸引力越

HF,HCL,HBR,HI的沸点高低

四种物质都是由分子构成的,因此决定它们沸点的是分子间作用力.已知规律:结构相似的分子,范德华力(分子间普遍存在的一种分子间作用力)随相对分子质量的增大而增大.因此,应该是HF<HCl<HBr<HI但是

酸性越强越稳定?HF HCl HBr HI

说反了.HFHClHBrHI从左到右:稳定性减弱而酸性增强,因此对于氢卤酸,酸性越强越不稳定,酸性越弱越稳定(仅对于稀酸而言).HI为氢卤酸中最强酸,有很强还原性,但极不稳定,极易分解为氢和碘.HBr

稳定性:HF>HCl>HBr>HI

最直观的形容一下吧:F只有两层电子层,而到了I呢就有五层电子层了,你想,距离原子核越远对电子的吸引了不就越弱了吗,因此,F会紧紧的抓住H的一个电子不放松,因此他就最稳定,但是I不行了,对H的电子吸引力

卤化氢与烯烃的亲电加成反应活性,烯烃是什么结构,反应活性越高?

烯烃周围给电子集团越多,效果越好,反应活性越高.再问:此过程中形成碳正离子,是不是碳正离子越稳定反应活性越高?O(∩_∩)O谢谢再答:是的

HF HCl HBr HI 的沸点是多少?

HF:19.52℃HCl:-84.9℃HBr:-67.0℃HI:-35.38℃(四大气压)HF分子之间形成氢键,沸点最高HCl\HBr\HI随相对分子质量的增大,分子间作用力增强,沸点逐渐升高

HBr HCl HI 谁的酸性强

HI>HBr>HCl同主族从上到下氢酸酸性增强

为什么沸点顺序:HF>HI>HBr>HCl?

HI、HBr、HCl均属于分子晶体.从碘到氯原子核内的质子数减少,分子间的范德华力减小,从碘化氢到氯化氢的沸点依次减小.氟化氢的液体中由于氢键的存在,要打破氢键所消耗的能量很大,所以氟化氢的沸点最大.

hf hcl hbr HI 的稳定性顺序

HF>HCL>HBR>HI元素周期律中,同一主族由上到下,F的氧化性最强,之后依次减弱,卤族元素离子结合氢离子的能力就越差,就越不稳定.

HF,HCL,HBr,HI酸性比较

气态氢化物的水溶液的酸性强弱主要取决于它在水溶液中的电离度的大小,而电离度的大小既与键的极性有关,也与分子的极性有关,两种极性的增强可增大电离度.对氢化物来说,电负性增大可增强键的极性,原子半径增大可

HF,HCL,HBr,HI 熔沸点比较

熔沸点与稳定性无关.熔沸点与分子间作用力有关.分子量越大,范德华力越大,沸点越高.氢键也是一种分子间作用力,它比范德华力强得多.按照分子量来看,HI>HBr>HCl>HFHI大约是HF的6倍多,范德华

卤化氢的还原性按HF、HCl、HBr、HI的顺序依次减弱对不对?为什么?

卤化氢的还原性按HF、HCl、HBr、HI的顺序依次增强,其稳定性依次减弱.且从氟到碘原子半径增大,离子半径也增大,原子核对外层电子的吸引力减小,从氟离子到碘离子越来越易失去电子,所以碘离子的失电子能

HCl,HI,HBr的酸性大小?

HICLBRI的非金属性依次减弱对应的氢化物稳定性减弱,酸性逐渐加强

氢卤酸用什么干燥例如 HI HBr

可用五氧化二磷或无水氯化钙来干燥

HF.Hcl.HBr.HI熔点高低顺序

HF>HI>HBr>HclHF中含有氢键,所以熔沸点高,Hcl.HBr.HI这三个是按照周期律来排的

HF HCL HBR HI 性质

稳定性HF>HCL>HBR>HI酸性HF>HCL>HBR>HI沸点无法比较

HF HCl HBr HI 的极性

极化是指原子容易变形,即本来应该属于该原子的电子云被旁边的原子吸引变形,使电子云向原子间靠近,这样恰恰使负电荷中心向中间靠拢,同时使正电荷也向中心靠拢,所以极性反而降低.卤酸的酸性按HClO3-HBr

为什么偶极矩HF>HCL>HBr>HI

1.决定强、弱电解质的因素决定强、弱电解质的因素较多,有时一种物质在某种情况下是强电解质,而在另一种情况下,又可以是弱电解质.下面从键型、键能、溶解度、浓度和溶剂等方面来讨论这些因素对电解质电离的影响