当环境温度升高时,二极管的正向压降()反向饱和电流()-搜答案-智慧作业帮

偏高,因为热敏电阻和导线的阻值会同时加入电桥,而且热敏电阻与温度是成正比例关系的,所以测得的温度将会偏高

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

电压

少数载流子浓度增大.

因为二极管的反向电流的大小是取决于PN结中的少子的多少,温度高时少子多,而与电压大小无关

硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分

答案：减小；温度；理由：二极管有两个电阻：直流电阻,和微分电阻（也叫动态电阻=du/dI）,前者随电流增大而增大,后者随电流增大而减小,看一下伏安特性曲线就知道了,很显然.ICEO是三极管的反向饱和电

就是二极管正向导通时两端的电压.

当加在二极管上的反向电压过大时,二极管会（击穿）损坏,流过二极管的正向电流过大时,二级管会（发热烧坏）.

正向电压,0.6-0.7V,0.2-0.3V.

代表当电流通过二极管时电压会下降0.6-0.8V,比如原来电压为10V通过二极管后下降为9.5V左右,正向是指二极管有方向性,正向导通,反向截止.锗与硅二极管的性能不同所以压降也不同

一,首先我们要了解,分压式偏置电路的功能是通过对基极电压的稳定,以及发射极电阻的负反馈达到对整个电路的稳定；二,其次我们参照我上传的图片以及上面的两个公式,当温度升高时,载流子运动加速,导致Ic升高、

那是,当正向电压大于二极管的导通电压时,二极管就变成导体了.

温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C,反向电流约增大一倍.

硅二极管一般正向压降为0.7V,04V无法导通所以选B再问：把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）A基本正常。B将被击穿。C基本烧坏。D电流

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

反向饱和电流是由二极管内得载流子决定得

因为反向饱和电流是由少子漂移形成,而少子是由热激发产生,浓度很低,（故温度升高时,少子浓度变大,电流当然变大）,当反向电压还不太高时,几乎所有的少子都参与导电,即电流饱和现象,（只有电压超过某一临界值

＞0.7V(硅管)时,二极管才能导通.

正向电流比反向电流大是因为pn结加正向电压比加反向电压时的载流子多,因此载流子移动形成的电流就大,环境温度升高时反向电流会增大.