无限大均匀带电平面之间的场强为E,求两平面的电荷面密度

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/08 12:38:36
一无限大平面,开有一个半径为R的圆孔,设平面均匀带电,电荷面密度为k.求孔的轴线上离孔心为r处的场强.

根据互补原理,模型等效为半径为R,电荷密度为k的圆贴片,因此在轴线上离孔r处的场强,首先积分算出圆贴片所带电荷,然后利用库伦定律计算半径为r的场强.再问:不用分

【电磁学问题】为什么用高斯定理求无限大的均匀带电平面产生的场强时电量要用1/2呢?

带电平面会在平面上下产生大小相同方向相反的电场.所以高斯面要算上上下两面.2Eds=...把2移过去就有1/2了.

一距无限大均匀带电平面为R的点A处的场强我是否可以把它等效为一均匀带电球面来求呢

不可以,这样等效完全没有道理.直接利用高斯定理,垂直平面作一个封闭的圆柱,马上就算出来了

真空中两块互相平行的无限大均匀带电平面,其电荷密度分别为和,两板间的电场强度为

电荷密度没打出来呢?比如分别为+σ1和+σ2.设电荷面密度为+σ1的为板A,电荷面密度为+σ2的为板B.A板产生的场强大小为E1,根据其对称性,对板A取一圆柱形高斯面,高斯面截面积为s根据高斯定理∮E

请用高斯定理求面密度为a的无限大均匀带电平面场强

那个希腊字母我用$;来代替面有两边,每边电荷为a*S/2,高斯定理E*S=(a*S/2)/$所以E=a/2$

两块无限大均匀带电平面,已知电荷面密度为正负O,计算场强分布,

取高斯面S,ES=4πkOS/ε,E=4πkO/εls的单位ms不对.

无限大均匀带电平面周围的场强,无论距离平面多远都相等吗?

是相等的.我之前没细想,习惯思维,说错了.根据高斯定理可知是相等的.虽然距离远的点受到平面上的点的力更小,但是受到了平面上更大范围的点的力的作用的影响,加起来发现还是相等的.

厚度为d的无限大均匀带电平板,电荷体密度为p,求板内外的场强分布.

用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)

一道大学物理题 两个无限大的平行平面都均匀带电,电荷的面密度分别为σ1和σ2,试求空间各处场强.

用高斯定理∮EdS=q/ε,可以设计一个这样的则得2ES=Sσ/εE=σ/2ε,这是平面的场强公式,然后空间的就只需要叠加一下就行了,加加减减什么的再问:能给下具体步骤吗再答:我去这还不具体啊。平行板

A、B 为真空中两个平行的“无限大”均匀带电平面……具体题目在图中

根据高斯定理解E=d/e0E为射出高斯体的“净”电场强度,d为面电荷密度,e0为真空介电常数.当高斯体包括两个板时,射出高斯体的“净”电场强度为E0*2/3,所以E0*2/3=(dA+dB)/e0.当

试推导无限大均匀带电平面的场强为E=σ/2ε.

真巧现在就只对电学有兴趣啊你应该知道高斯定理吧(1)εESg=Q=σSSg=2S因为高斯面是封闭的所以取一圆柱形的高斯面带入就是E=σ/2ε(2)最简单的思路带电球面里面没有电荷因此E=0而dV=Ed

怎么用库伦定律求无限大均匀带电平面的场强,

见下图的第一部分的内容(第2、3部分也不妨看看)——\x0d

无限大的均匀带电平面电场E=σ/2ε0,带电导体表面附近的场强E=σ/ε0.什么时候用哪个?

我能不能把电荷面密度用σ来表示,a看起来不太舒服.设电荷面密度为σ的为板A,电荷面密度为2σ的为板B.设板A在两板间产生的场强大小为E1,根据其对称性,其在两板外产生的场强亦为E1,方向相反.对板A取

电荷面密度为σ的无限大的均匀带电平面周围空间的电场强度推导

运用高斯定理的话,十分简单..将左式中的dS积分后移到右边,E=σ/2ε0(2ε0就是2).但问题是你懂微积分不?

无限大均匀带电平面周围的场强相等?

对.根据高斯定理E*2S=入*S/真空介质常量E=入/2*真空介质常量与距离无关的(仅限于无限大平面)相信我.希望能帮助你~!

无限大均匀带电平面两侧的场强为什么比导体表面附近场强为什么小一半?

仔细看有关无限大均匀带电平面的高斯定理,场强是有前后两个方向的,静电平衡是哪种情况.

求距离均匀带电无限大平面(电荷密度已知)为a处的P处的电场强度

如果电荷密度为p则E=p/2e0,其中e0为介电常数,与距离无关这个要用高斯定律或者微积分推导