无限大均匀带电平面之间的场强为E,求两平面的电荷面密度
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/08 12:38:36
根据互补原理,模型等效为半径为R,电荷密度为k的圆贴片,因此在轴线上离孔r处的场强,首先积分算出圆贴片所带电荷,然后利用库伦定律计算半径为r的场强.再问:不用分
用高斯定理
带电平面会在平面上下产生大小相同方向相反的电场.所以高斯面要算上上下两面.2Eds=...把2移过去就有1/2了.
由高斯定理,或积分大学课本上都有,目前只知道这两种推法
不可以,这样等效完全没有道理.直接利用高斯定理,垂直平面作一个封闭的圆柱,马上就算出来了
电荷密度没打出来呢?比如分别为+σ1和+σ2.设电荷面密度为+σ1的为板A,电荷面密度为+σ2的为板B.A板产生的场强大小为E1,根据其对称性,对板A取一圆柱形高斯面,高斯面截面积为s根据高斯定理∮E
那个希腊字母我用$;来代替面有两边,每边电荷为a*S/2,高斯定理E*S=(a*S/2)/$所以E=a/2$
取高斯面S,ES=4πkOS/ε,E=4πkO/εls的单位ms不对.
是相等的.我之前没细想,习惯思维,说错了.根据高斯定理可知是相等的.虽然距离远的点受到平面上的点的力更小,但是受到了平面上更大范围的点的力的作用的影响,加起来发现还是相等的.
用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)
用高斯定理∮EdS=q/ε,可以设计一个这样的则得2ES=Sσ/εE=σ/2ε,这是平面的场强公式,然后空间的就只需要叠加一下就行了,加加减减什么的再问:能给下具体步骤吗再答:我去这还不具体啊。平行板
根据高斯定理解E=d/e0E为射出高斯体的“净”电场强度,d为面电荷密度,e0为真空介电常数.当高斯体包括两个板时,射出高斯体的“净”电场强度为E0*2/3,所以E0*2/3=(dA+dB)/e0.当
真巧现在就只对电学有兴趣啊你应该知道高斯定理吧(1)εESg=Q=σSSg=2S因为高斯面是封闭的所以取一圆柱形的高斯面带入就是E=σ/2ε(2)最简单的思路带电球面里面没有电荷因此E=0而dV=Ed
见下图的第一部分的内容(第2、3部分也不妨看看)——\x0d
我能不能把电荷面密度用σ来表示,a看起来不太舒服.设电荷面密度为σ的为板A,电荷面密度为2σ的为板B.设板A在两板间产生的场强大小为E1,根据其对称性,其在两板外产生的场强亦为E1,方向相反.对板A取
运用高斯定理的话,十分简单..将左式中的dS积分后移到右边,E=σ/2ε0(2ε0就是2).但问题是你懂微积分不?
对.根据高斯定理E*2S=入*S/真空介质常量E=入/2*真空介质常量与距离无关的(仅限于无限大平面)相信我.希望能帮助你~!
仔细看有关无限大均匀带电平面的高斯定理,场强是有前后两个方向的,静电平衡是哪种情况.
如果电荷密度为p则E=p/2e0,其中e0为介电常数,与距离无关这个要用高斯定律或者微积分推导