晶体管基极的稳压二极管起什么作用

基极电流比集电极的大说明晶体管没工作,工作后测测出数据才有用.放大倍数=Ic/Ib.

基极上拉电阻是提供三极管静态工作电压的,发射极电阻是负反馈电阻,稳定工作点用的.

在三极管放大电路中,从三极管的集电极到基极所加的电容称为负反馈电容.这个电容能起到对放大电路的稳定作用.其主要目的是消除放大电路的高频自激所引起的啸叫（在低频放大电路中,高频放大电路的自激人耳听不到）

B极电压：7.11V,E极电压=7.11-0.6=6.51v,IE=6.51mA,IE=IC,所以2K上的压降=U2k=0.0061*2000=12.2V,UCE=15-6.51-12.2=负压,由于

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

电路中C36极性标错,C37,D2,D4,C37组成倍压整流,产生负压,减击D3(9.1)得到-7伏,10V4是从16V减去D8(5.4V)得10V4.此电路是用于采色LCD供电?R40R42R43是

我是这样认为的,你说的应该是集电极输出电路,以NPN管为例,这种电路的特点是在集电极C和电源+E之间要接入一个电阻,通常我们称这个电阻为集电极负载电阻,当基极为正时（由0到正）,因为三极管的放大作用,

npn三极管需要一个约0.7v偏置电压(基极对射极),所以R2/(R1+R2)xE>=0.7v就可以提供偏置电压令三极管(C-E)导通.再问：乘的那个E是什么再答：E是图右上角的+E，一般+E等如供电

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

正常单个偏置电阻,串在be极上,不会有这样的问题,只会没有偏置电流.你说的情况,可能是并在be极上的电阻,起到分压作用.如果开路,分压作用没了,自然基极电流就会比正常情况大.

因为三极管工作在放大状态时,基极和集电极的电流满足电流放大关系：Ic=βIb,因此只要工作在放大状态,基极电流不变时,即使增大Uce,Ic仍然是满足电流放大关系的,即Ic基本不变.

（A）限制基极电流

用万用表直接测基极电流,虽说可以,但测试的结与实际工作电流是有差别的,其原因是因为万用表本身有电阻,当把万用表接入电路,就改变了电路的实际工作状态.用不同档位测试结果不同也是这个原因,因万用表的不同档

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

它具有把所收电波加以区分的检波功能和增强微弱电波的放大功能.初期,这两种功能几乎都是由真空管来完成的.

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这个值用处不大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点处的切线斜率.我做三级管放大电路的时候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差

有近似计算公式：rbe=基区体电阻+（1+hfe）Ut/Iehfe是电流放大倍数,Ie是发射极电流,Ut在室温下一般=26mV回到你的问题,Ib=13uA,那么Ie=（1+hfe）Ib,代入公式计算就

首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端

集电极电压大于基极,才能把电子从晶体管的发射极极运送到集电极极,实现小信号放大,如果集电极电压低于基极,发射极的电子全部通过基极而不进入集电极,晶体管就失去了放大作用