晶体管的β=80,rbb=1000

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/03 08:02:42
如下图所示的晶体管中,设β=100,VBE=0.7V,求 Vo与 VCE.

取Ic=Ie=(beta)Ib,则10Ib+0.2Ic+0.7=5Ib=0.143mAVo=0.2*Ie=2.86VVce=12-0.5*Ic—Vo=1.9V再问:谢谢您了

电路如下图所示,晶体管的=60,晶体管的VBE可忽略不计.

静态工作点等于33μA(基极静态电流);交流电压增益Au等于-3;输入电阻Ri等于60kΩ;输出电阻Ro等于3kΩ;Ui等于9.677mV(有效值),Uo等于29mV(有效值).因为你没有确定交流信号

模电:多级放大电路如图所示,若两个晶体管的β=79

分析:T1为电流串联负反馈共发射极电路,T2为射极跟随器,故2管放大倍数就为T1的放大倍数.1、Au=-79*6000/(1000+80*300)=139.4=1402、Uo=10*140=1400m

模拟电子技术基础习题2.12 电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,rbe =1kΩ. 最后输出电阻Ro怎样得到的?

输出电阻计算有加压求流法及负载对比法等.这里使用的是加压求流法放大器输入信号为零时,从输出端看进去,看到的就是输出电阻.加上一个虚拟电压,计算所产生的的电流,电压电流比就使输出电阻,这就是加压求流法,

电路如图,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,求Q点 (主要是求IEQ时IEQ=(Ubq-Ubeq)/(rf+re)

你问Ubeq如何得知的,那么这个是根据三极管的材料决定的,若是硅材料的三极管,Ubeq≈0.7V,若是锗材料的三极管Ubeq≈0.3V.另外,Q点的求根据分压原理,UB=Vcc*Rb1/(Rb1+Rb

电路如图所示,晶体管T的电流放大系数β=50,Rb=300K欧,Re=3K欧,晶体管T处于什么状态?

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差(1+β)倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态:

已知晶体管的β=50分析图题所示各电路中晶体管的工作状态

A)为饱和状态B)截止状态C)放大状态再问:(a)和(c)怎么计算的啊再答:A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

差分放大电路.UBEQ=0.7V,β=100,rbb=200Ω.

mark,晚上做.高多少分呀~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~请参考空间给做的课题,里面有镜像电流源讲解连接http://hi.baidu.com/solank/

晶体管的作用是什么;什么是晶体管放大器,

晶体管分很多种,有二极管,三极管,可控硅,等等.晶体管应用十分广泛,几乎厂家生产的每块电路板都能找到晶体管,作用实在是太多了,你要是问我什么电路里的晶体管有什么作用,这我好回答!就像你后面问的晶体管放

单管放大电路如图所示,已知三级管B=60.rbb=100欧姆,Vbeq=0.7V等等 1、求静态工作断背Ibq、Icq

1. Ibq=(Ucc-Ubeq)/Rb=(12V-0.7V)/300kΩ=0.0377mAIcq=βIbq=60x0.0377mA=2.26mAUceq=Ucc-RcIcq=12V-3kΩ

如图所示电路中,已知晶体管的β=80,rbe=1kΩ,Ui=20mA 静态时UBEQ=0.7V,UCEQ=4V,IBQ=

Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66

晶体管是干什么的

电路的电压放大少不了它.

.已知晶体管的β=100,UBE=0.7V,若要求UCE=3V,则UB=?

12-3=9V9V/(5+3)=1.125mAUB=0.7+3*1.125=4.075V

电路如图所示,晶体管的放大倍数=100,rbb'=200Ω.大家帮帮忙画出此电路的交流 通路

Ie=[(5/30)*12]-0.7/(300+1000)=1mArbe=rbb'+(1+β)26/Ie≈200+100*(26/1)=2.8K

放大电路如图,已知三极管β=100, rbb′=200Ω,UBEQ=0.7V,(3)求源电压增益 Aus.

这个是这样子的再答:再答:你也学模电啊,日后多交流哦

放大电路,Rp处于中间位置,晶体管β=50.r be=10.3kΩ.

1、静态时,ui=0,Ee=Ib*R1+Ube+(RW/2+Re)*Ie,因为Ib很小,Ube=0.6——0.7v,RW=100Ω,∴Ee=Ie*Re≈E=15v,Ie=Ie1+Ie2=E/Re=15

【3-4】已知晶体管的β=50,电路中晶体管的工作状态.(12-Ube)/(10+(1+β)*1)中(1+β)*1是什么

射极电流IE=(1+β)IB,那么10*IB+Ube+1*IE=12V,写成IB的式子,分母部分就是10+(1+β)*1.再问:为么模拟电子技术这本书上没有这个公式呢,还有a图是共射电路吗,不太看懂啊

电路如下图所示,硅晶体管T的β=100,rbe=1KΩ .计算电路的Q点、Au 、Ri 和Ro.

Ib=Vcc/Rb=12/565=0.02123mAIc=β*Ib=2.123mAVce=Vcc-Ic*Rc=12-3*2.123=5.631VRi=Rb//rbe=rbe=1KΩRo=Rc=3KΩA

3,下图所示放大电路中,晶体管的β =50,rbe=1KΩ,UBEQ=0.7V;要求静态时 ICQ=2mA,

(1)“=1V”应该是Ueq吧.Rc=(Vcc-Ucq)/Icq=(9-4)/2=2.5kΩIeq=Icq*(1+β)/β=2*51/50=2.04mARe=Ueq/Ieq=1/2.04=0.490k

晶体管的基极-发射极电阻rbe是由rbb算出来的,但是rbb在晶体管的datasheet中没有给出,怎样得到这个值?

这个值用处不大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点处的切线斜率.我做三级管放大电路的时候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差