作业帮杂质半导体中少数载流子浓度等于本证半导体中载流子浓度
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/07/15 02:36:25
CBBBABBACAAA再问：一共13体
N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.
既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是
图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p）,一定体积的半导体中,电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为
加相同的电流与磁场,不管是何种载流子,载流子偏转方向总是一样.（从宏观上考虑,即电流与磁场都相同了,则安培力也一定相同；从微观上看,空穴运动方向与电流相同,电子运动方向相反,但电荷也为负,最终负号抵消
根据霍尔板两端的电压高低
N型半导体的多数载流子是电子.
根据物理上的需要往纯的半导体中掺入所需的元素
空穴呗正负粒子貌似是堆在壁垒区的吧
CA(少数载流子浓度由ni^2/N,决定,N是掺杂浓度,也就是多数载流子浓度,ni为本征载流子浓度,随温度升高而增大)B(其他几种接法,电源噪声都可以通过负载电阻耦合到输出)
“腔长”是指量子阱的阱宽吗?定性上讲阱越宽,载流子浓度越高；阱越窄,载流子浓度越低
载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度；载流子空穴的浓度主要取决于电压?（这个不太拿得准）
在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移
这个问题是固体物理中的一个基本概念问题.有效质量只有在能带顶附近处才是负的,而能带顶正好对应于Brilouin区边缘,因此有效质量在Brilouin区边缘处为负.当电子在外力作用下运动时,电子的动量增
P型半导体空穴导电霍尔系数R=1/pq>0N型半导体电子导电霍尔系数R=-1/nq
问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方：以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子
本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下
这是半导体物理中的一个重要而具有深刻物理意义的问题.首先要弄清楚,半导体晶体中的载流子不一定会遭受散射,因为排列很规则的晶体原子并不散射载流子,这些原子只决定晶体电子的状态——能带.其次,之所以载流子
半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s）；半导体中的载流子一般