测得某放大电路中bjt的三个电极 VA=1.1V

ggg判断负反馈有两种情况,一：如果反馈信号是取自射极,极性相同为正反馈,极性相反为负反馈；二：如果反馈信号是取自基极,极性相同为负反馈,极性相反为正反馈.负反馈放大电路中,反馈信号仅取自输出信号.

由于硅BJT的VBE=0.7V,已知BJT的电极A的VA=1.3V,电极B的VB=2V,电极C的VC=6V,故电极C为集电极.又因为BJT工作于放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏可知,电极A是发

很明显,选D解析：硅（Si）的管压降0.7V,锗（Ge）的管压降0.3V.从数值可以看出3.2-2.5=0.7V,所以B、D中选,再者另一极点电位为9V,是集电极电位,所以是NPN型三极管,发射极电位

C答案,这个管子是NPN型管三极管的Ube=0.7V,所以Ub=2.7V,Ue=2V,则Uc=6V.

负反馈在电子放大电路中有着广阔的应用,在减少放大倍数的同时,能改善放大电路的以下性能指标：1、稳定放大电路的放大倍数.2、改变放大电路的输入输出电阻、阻抗.3、减小放大电路的非线性失真.4、展宽放大电

首先找电压差约为0.7或者0.3V的两个电极,这两级是基极或者发射极,若为0.7则为硅管,0.3则为锗管,然后观察剩下的那个集电极,若比这两个电极电压低就是PNP管,若高就是NPN管.所以你描述的是N

锗管,NPN,8V端集电极C,5,3V端基极B,5V段发射极E.分析如下：1.根据测得几个电压均是正值说明管为NPN管,2.根据其中两端间压差为,0.3或0.7其中之一说明两者是基极和发射极,是0.3

各电阻值是根据晶体管的静态偏置设计计算出来的.通常需要考虑晶体管的动态工作范围及晶体管耗散功率等因素.在电路中晶体管的消耗功率约为集电极电流×集电极发射极间的电压.晶体管必须工作在远低于允许的耗散功率

你将示波器的表笔接电阻RB两端或RC两端,你会测到交流信号的,呵呵.EC是电源,电源的电流输出能力一般比较大,至少比你的信号大得多了,你的交流信号很难干扰到它.这里涉及一个信号源输出阻抗的问题：在《电

应该是NPN

因为Re上电压一定Ue=Ie*Re=Ib*p*Re既然Ib=1/p*Ie那么折算到基极R=p*Re其实把电流的变化折算到电阻上再问：非常感谢。①你是从事哪行的？②这是些模电基础知识吗？③应付考试，这些

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

测得某正常线性放大电路中晶体管三个引脚x、y、z对地的静态电压分别为1.5V、1.8V、6V,则可判断它们分别为三极管的（e）极、（b）极、（c）极.分析：基极（b）与发射极（e）之间的电压是0.3V

Rb提供偏置电压啊,这个输出端通过Rc交流接地,不起反馈作用再问：Rb两端的电压从哪里来的啊？输入端口吗？输出端通过Rc交流接地怎么解释？再答：主要从VCC来啊，这是静态工作点的设置啊再答：直流电源交

1.管型是NPN型的,2.①②③分别是基极,集电极,发射极.3.硅材料的.因为硅材料的三极管每个PN结的正向电压为0.7V(3.1-2.4=0.7).NPN管的基极电压比发射极高0.7V可判断基极和发

静态发射极电流再问：和其他参数的关系怎样？比如和Ibq，icq再答：IE=IC+IBIC=βIB再问：ie=ic吗再答：约等于。书上都有的，随便找一本模电书就有

没错,f越小容抗越大.但是频率低到什么程度、而容抗又大到什么程度?这个你自己可以去计算的,公式也很简单嘛,然后再与本级放大电路的输入阻抗相比较（是串联关系）,你就明白为什么此电容的容抗是可以忽略的了；

稳定工作点,提高温度、电源适应性.

对于共源极放大器用电压表当输入电压降低到输出电压不再变化临界点就是截至了,在双踪示波器上,一路接输入,一路接输出,输入正弦波,当发现输出波形顶部被削平了,就出现截至了

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为