电路中晶体管的β=100,求静态工作点,画出微变等效电路

（1）IB=(12-0.2)/400=0.0295mA （0.2：锗管Ube按0.2V计算） IC=0.0295*80=2.36mA UCE=12-2.36*3=4.92

取Ic=Ie=(beta)Ib,则10Ib+0.2Ic+0.7=5Ib=0.143mAVo=0.2*Ie=2.86VVce=12-0.5*Ic—Vo=1.9V再问：谢谢您了

Rbe也应该为已知.(1)us=ib*Rbe+(β+1)ib*RFu2=βib*（RL//Rc）Au=u2/us=β(RL//Rc)/(Rbe+(β+1)*RF)特别地：当β>>1、Rbe1、Rbe

静态工作点等于33μA（基极静态电流）；交流电压增益Au等于-3；输入电阻Ri等于60kΩ；输出电阻Ro等于3kΩ；Ui等于9.677mV（有效值）,Uo等于29mV（有效值）.因为你没有确定交流信号

分析：T1为电流串联负反馈共发射极电路,T2为射极跟随器,故2管放大倍数就为T1的放大倍数.1、Au=-79*6000/(1000+80*300)=139.4=1402、Uo=10*140=1400m

一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态.当VBEVE时,发射结处于正向偏置状态,集电结处于反向偏置状态,此时晶体管工作在放大状态.

你问Ubeq如何得知的,那么这个是根据三极管的材料决定的,若是硅材料的三极管,Ubeq≈0.7V,若是锗材料的三极管Ubeq≈0.3V.另外,Q点的求根据分压原理,UB=Vcc*Rb1/(Rb1+Rb

看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差（1+β）倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态：

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

1、静态工作点：VB＝Ube＝0.7V,Ib＝(Vcc－Ube)/Rb＝(12－0.7)/450＝0.025mA,Ic＝阝Ib＝100x0.025＝2.5mA,Uce＝Vcc－RcIc＝12－3x2.

就起到个开关的作用,上拉电阻是个负温度系数的温敏电阻,当温度达到一定的时候X点产生的电压让晶体管导通,蜂鸣器两端完成加电开始报警

T1是共基、T2共射、T3共集（又称射跟）.

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

Ie=[(5/30)*12]-0.7/(300+1000)=1mArbe=rbb'+(1+β)26/Ie≈200+100*(26/1)=2.8K

静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊

放大倍数不一样偏置电路参数也不一样如果是工作在放大区替换后可能会使模拟失真,如果你是设计电路那就无元所谓,只要你外围元件参数正确就一样能工作!再问：是一个简单的共射极放大电路，不太记得清楚了，是会发生

射极电流IE=(1+β)IB,那么10*IB+Ube+1*IE=12V,写成IB的式子,分母部分就是10+(1+β)*1.再问：为么模拟电子技术这本书上没有这个公式呢，还有a图是共射电路吗，不太看懂啊

Ib=Vcc/Rb=12/565=0.02123mAIc=β*Ib=2.123mAVce=Vcc-Ic*Rc=12-3*2.123=5.631VRi=Rb//rbe=rbe=1KΩRo=Rc=3KΩA

(1)“=1V”应该是Ueq吧.Rc=(Vcc-Ucq)/Icq=(9-4)/2=2.5kΩIeq=Icq*(1+β)/β=2*51/50=2.04mARe=Ueq/Ieq=1/2.04=0.490k