电路参数变化对静态工作点和电压放大倍数的影响是什么??

动态时,有可能只有交流或只有直流或二者并存的反馈,至于Ve、Vbe减小还是增大要看电路是如何连接的,在RE旁加上一个电容后,交流反馈是否存在也要看电路的连接形式,如果是单管共射放大电路,应该不存在了

静态工作点的选取直接影响放大电路的稳定性,Q点太高可能饱和失真,Q点太低容易截至失真,另外合适的工作点可以是最大不失真电压变得最大.至于动态和静态的问题,其实就是叠加原理,对三极管来说,提供的电压包括

Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V模拟电子技术中的常熟还有很多很多.   以下是摘自《

aa前一个问题问的范畴太大.你问的是晶体管基本放大电路吧.静态工作点不稳定的原因很多,如温度的变化、电源电压的波动、元件因老化而使参数变化等,其中最重要的是温度的变化的影响.1.晶体管集电结反响饱和电

如果是放大器工作点的三极管参数的话,我知道3个：1：一般温度升高10℃增加1倍；：2一般为-2.5mV/℃；3β：一般β的相对变化dβ/(β*dT)为（0.5%~1.0%）/℃

负载电阻RL对静态工作点有影响,因为Uce=Ucc-IcRL,RL直接影响到Uce.另外,电压放大倍数K=BRL/Rr,其中,B是三极管的电流放大系数,Rr是三极管的输入电阻,所以,RL越大,放大倍数

没错,黄色的计算是错误的,绿色的才对.作为典型的共射放大电路,静态工作点就是保证电路进入放大状态,故只要计算出Ie电流,即可知道Ic电流,再根据三极管的放大系数,即可得到Ib的电流值.而黄色部分的B点

我分步做了,看图：（在图上点击看大图）

对输入电阻有一些影响,因为RI=RB1//RB2//RBE,其中RBE=(1+β）26/IE.静态工作点提高了就是IE增加了,RBE会减小一些.所以输入电阻也会减小一些.输出电阻不受影响.

静态工作点：基极电位：Vb＝12/(7.5＋2.5)x2.5＝3V,集电极电流：Ic～＝Ie＝(Vb－Ube)/Re＝2.3mA,基极电流：Ib＝Ie/(1＋阝)＝2.3/31＝0.074mA,集电极

负载电阻对静态工作点无影响,对电压放大倍数有影响.放大倍数=-?齝//Rl）/rbe

以共发射极单管放大电路为例：1.静态工作点对电压放大倍数影响比较小,IE大一些放大倍数略有增加.但是静态工作点对输出波形影响较大,低了会产生截止失真,高了会产生饱和失真.2.负载对放大倍数影响较大,R

应该学会看三极管输出特性曲线,一是基极电流、二是集电极电流,三是Uce；

由于温漂造成放大器的工作点漂移,严重时会使放大器失效,一般采用电流负反馈进行抑制,对于直流放大器基本是采用差分放大器进行放大.

零点漂移是指当放大电路输入信号为零时,由于受温度变化,电源电压不稳等因素的影响,使静态工作点发生变化,并被逐级放大和传输,导致电路输出端电压偏离原固定值而上下漂动的现象.显然,放大电路级数愈多、放大倍

通常电路设计时会考虑尽量让静态工作点不受负载阻抗的影响.因此可以说一般情况下负载阻抗对静态工作点的影响是很轻微的,几乎不需要考虑.某些直接偶合的电路后级就是前一级的负载.因为负载是固定的,因此虽然有影

放大电路的静态工作点也称直流工作点,是指输入信号为零时,晶体管放大器的基极电流Ib、集电极电流Ic,和集电极与发射极间的电压Uce之值,当放大电路中电源Ue和电阻Re确定以后,其静态工作点是由Ib来确

就是假设电路中没有交流成分,这时候你把所有的电容相当于断开,电感相当于导线.这样就可以求出很多直流参数了

aa没错,黄色的计算是错误的,绿色的才对.作为典型的共射放大电路,静态工作点就是保证电路进入放大状态,故只要计算出Ie电流,即可知道Ic电流,再根据三极管的放大系数,即可得到Ib的电流值.而黄色部分的

其静态工作点：IBQ=(VCC-VBEQ)/Rb,(一般硅管VBEQ=0.7V,锗管VBEQ=0.2V）.ICQ=β*IBQ,VCEQ=VCC-ICEQ*Rc.其动态参数:输入电阻Ri=Rb//rbe