砷化镓不掺杂是不是N型
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/30 21:22:41
它是可数的,但是一般是用单数的.ThemeanofAandB.若是用means意思就变成了方法的意思了.
简单的说:掺杂浓度过高,杂质原子过于靠近,从而相互结合,这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量,从而造成PN结变窄.以下信息供参考理解用:晶体是由许多原子在靠近时,通过电子轨道相互重叠并“成键”后组
掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.
N型,P型希望采纳
问题一首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体,带正电荷的有:1.失去一个电子后带正电的磷原子,即正电中心,2.正电空穴.所以正电荷浓度为:ND+P带负电荷的有:1.得到一个电子后带负电荷的彭原子,即负电
很多种,扩散啊,离子注入啊,你去找找半导体工艺的书看吧,很详细的
半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子(如硼)使之成为P型半导体,或掺入五价的原子(如磷)使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的
1)首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI
就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.
1根据你所要的电阻率从电阻率-掺杂剂的图中找到合适的比例2根据质量守恒进行计算简单的说就这两部.但是实际生产中.还要根据你所选的料以及经验而进行
是啊
你好.PN结形成的空间电荷区是在扩散运动过程中形成,由于两边空穴和电子复合,形成中间PN结没有了载流子,只剩下PN自身的固定正负离子,也就形成了空间电荷区,内电场.内电场在扩散中越来越大,大到一定程度
什么是掺杂半导体?相对而言,本征半导体中载流子数目极少,导电能力仍然很低.但如果在其中掺入微量的杂质,所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强.由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类.N
可以必须的有氧
所谓的纯化学反应和物理反应的概念,只是停留在高中阶段,高中时我们可以很明确地说这是物理反应,那是化学反应,但是现在好多东西却不能区分了,现在衍生出了物理化学学科,有兴趣可以看一下啊.
五族的氮、磷掺入硅中后,因为它们的价电子比硅的多一个,这个多出的电子即容易释放出来而成为导带的电子,所以它们是N型杂质.但是,氮元素掺入到氧化锌中后,将取代六族的氧(不会取代二族的Zn),这就缺少了一
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)
半导体材料主要做半导体器件,构成电路,有的还可以做成发光的LED轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一样,所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现
纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响.掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子,例如若是加入