led的pn结电容效应

和普通二极管的PN结原理是一样的,只是普通PN结过电流的时候,PN结中电子和空穴复合产生的能量是以热的形式发散了.而LED中电子和空穴复合后产生的能量能级较高,可以生成可见光.当然,大部分的能量也是转

一般说来,在反向偏压或小的正向偏压下,p-n结以势垒电容为主,只有在大的正向偏压时才以扩散电容为主.

分势垒电容和扩散电容,势垒电容是累电容类似于平板电容器原理（C=AE/d）,PN结两边电容变化造成势垒区的变化,相当于一个充放电过程,但是需要注意的是它和平板电容器是反的,PN结正向电压增加,Q是减小

PN结正偏压增大时,耗尽层变窄,电容自然增大了,c=Xx/d,d变小了再问：电容公式我知道，我是想问耗尽层电荷量变小和势垒电容增大是否矛盾？再答：不矛盾，你用画出来，然后分析。。。。再问：这...还是

发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片,在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为p-n结.在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式

晶体形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构.共价键有很强的结合力,使原子规则排列,形成晶体,共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为价电子或束缚电子.价电子在获得一定能量（温度升高

发光二极管的实质性结构是半导体PN结.在PN结上加正向电压时注入少数载流子,少数载流子的复合发光就是发光二极管的工作机理.PN结就是指在一单晶中,具有相邻的P区和N区的结构,它通常是在一种导电类型的晶

你的问题还挺多,要分开来慢慢解释.1、LED发光：要搞清楚这个问题,首先,你需要了解PN结的形成原理.PN结是一个“由P型和N型半导体材料组成的半导体器件”中,其P型与N型半导体材料相互结合的部分.P

你的问题还挺多,要分开来慢慢解释.1、LED发光：要搞清楚这个问题,首先,你需要了解PN结的形成原理.PN结是一个“由P型和N型半导体材料组成的半导体器件”中,其P型与N型半导体材料相互结合的部分.P

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减

在高温下：LED的光输出特性除会发生可恢复性的变化外,还将随时间产生一种不可恢复的永久性的衰变.所谓最高结温是指确保一个LED器件在正常工作条件在正常工作条件下,器件所能承受的最高温度.为此,当环境温

因为有耗尽层的存在,耗尽层两侧是带相反电量的不能自由移动的自由电子,当让就有自建场存在,自然就有电容了

二极管反向的时候,PN是不导电的,而PN结两边的N区和P区是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极,PN结就成了介电材料.三极管的PN结电容效应原理和二极管是一样的.PN结的电容效应将导致反向时交

第一PN结的电容太小了,第二PN结本身的正向导通电压只有0.3~0.7V,PN结一旦导通就等效于一只电阻了,所以PN结不适于用来滤波.

二极管反向的时候,PN是不导电的,而PN结两边的N区和P区是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极,PN结就成了介电材料.三极管的PN结电容效应原理和二极管是一样的.PN结的电容效应将导致反向时交

PN结具有电容效应,一般用（势垒电容）及（扩散电容）来等效；

用光照射硅等半导体的PN结由于光电效应而生成从N到P流过的电流,光子能够在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激发,以致产生电子－空穴对.界面层附近的电子和空穴在复合之前,将通过空间电荷的电场作用被相互分

PN结形成后,交接面上电子和空穴大量复合,形成一个耗尽层.此时N区由于丧失了电子呈正离子效应,显正电,P区呈负电.因而建立了从N区指向P区的内建电场.此时电子在电场力作用下,向N区移动,而相反空穴向P

用在工作频率较高的场合时

结电容就相当于并联在两个结的一个电容,是由于pn结的面积形成的一个电容.在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现