作业帮MOS的内阻是怎么算的
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/07/13 18:38:10
我接着你的最后一步往下做,式中E,r是定值,R是变量,所以分母R+r*r/R取得最小值时,功率最大
内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的
二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.
误差分析 1、半偏电流法 根据闭合电路欧姆定律和串并联的特点,当闭合开关S2,调整电流表半偏时,回路中的总电流增大（大于Ig）,故流过R2的实际
MOS的工作频率怎么那么高呢如果只是PWM波的频率不可能那么高你应该测试一下驱动的最佳工作频率我遇到的一般都在20k以下H桥的半桥驱动和桥的地一般是共地的因为电机的转速改变和正反切换都会引起干扰较大一
MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.
1直流方法直流方法是在电池组两端接入放电负载,根据在不同电流I1、I2下的电压变U1、U2来计算内阻值,由E-I1*r=U1、E-I2*r=U2得：r=(U1一U2)/(I2-I1)由于内阻值很小,在
简单地讲就是用栅极G电压的高低变化来控制源漏的导通和截止（通和断）.
硅的电阻率初期是随着温度上升而下降,而且是明显下降的.但是当温度进入高温后,电阻率下降将会出现一个最低值,然后温度如果继续升高,电阻率就开始上升.另外,温度升高的话,暗电流将随之升高,这对电池的转换效
粗略测量:设计一个电阻串联MOSFET的电路,给一个恒压源.设计电阻阻值来限制电流,测试MOSFET两端压降U/I=R
1.Q5为NMOS管,R12为限流电阻（或是偏置电阻）,源漏之间的二极管为保护二极管.2.源极接地,电压为0,当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时,就可在源漏之间形成
E'R'S2G只起到辅助作用.简单地说相当于没有.电压表测量的是R两端的电压,也是电源两端的电压,也叫中端电压.所以电路中仍然有U=E-Ir由上面的式子,测量二次就可以用方程组解出E,r题目中给出了U
电压表内阻不可能理想无穷大,都有一个特写的内阻,只是远大于一般的负载电阻.
P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还
主要是用来放大的.用电场控制电流,省电.
这个东西在国内教科书里没有,必须找国外教科书才行.我印象中,20世纪50年代,美国的AT&T公司在研究FET特性时,利用过一个水闸模拟JFET控制机理的研究,这时把控制水闸（其实就是个水龙头）的开关认
如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话
万用表,测量出电压,然后接个负载（小灯泡之类的）测量电流,当然如果是七号之类的电池,不用接负载直接测电流也行,毕竟用久了.然后用欧姆定律R=U/I就可以了
用左边电路,调节滑动变阻器,记录电压表,电流表读数,并以坐标轴形式记录,延长直线使其xy轴相交,与x、y轴交点分别为电动势和短路电流,电源内阻R=E/I