作业帮MOS的反向导通电阻与正向导通电阻一样吗?
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/07/13 20:03:11
正向导通压降是在管子正向导通的时候,二极管两端的电压,也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压,也就是说,在这个电压以下时,即使是正向的,它也不导通.
二极管导通后,电流增加,压降会略有增加,但是增加得很少,所以一般就将导通电压视为二极管的阈值电压或者二极管的压降了.万能表的测试电流很小（约1mA）,测量出来的导通电压略偏低,使用时可以适当调整以下.
门槛电压：是二极管正向导通的起始电压；导通压降和管压降：二极管正向导通时自身压降；
我感觉二极管正向导通压降是在二级管导通时的电压降,而二极管正向阀值电压是要使二极管正向导通的最小电压.
A；导通,6V.B；截止,--6V再问：第一个对，第二个不对啊再答：哦，我看错了啊，不好意思啊，二是导通的，--3V
首先确认D1、D4无法导通,处于反偏.原因：假设D2、D3共阳极公共端电位为X,首先X不可能小于2V,因为如果小于2,则D2、D3均反偏无法导通,那R2上无电流,X电位为10.6V；其次,X不可能大于
普通整流及开关二极管的正向压降视型号不能同为0.4V左右,肖特基二极管的正向压降更低；发光二极管正向压降最低为1.6V左右,较高的2至3V.
TTL与非门1电路的关态-指电路的输出管处于截止工作状态时的电路状态,此时在电路输出端可得到VO=VOH,电路输出高电平.2电路的开态-指电路的输出管处于饱和工作状态时的电路状态,此时在输出端可得到V
正常时是0.7,如果短路了就可能高.
锗管的压降是0.2V~0.3V,在大电流下至少是0.3V.但是由于除了压降以外的其他指标都逊于硅管,锗管现在很少见了,几乎可以算是被淘汰了.建议你用肖特基二极管,这种二极管额定电流下的正向导通压降低于
导通电流增大.因为随着温度的增高,二极管的伏安特性曲线左移.
PN结是P型半导体和N型半导体制作在一块半导体材料上时在其交界面形成的的一个区域.当P区接正电压、N区接负电压并达到一定值时,电流可从P区流向N区,这就是正向导通.这样接法就是正偏,PN结正向导通电压
如果你在二极管二端加上10V的电压,那么此时经过电源内阻限流后,电流超过了此二极管所能承受的最大电流,二极管就补烧毁了!不超过二极管的允许最大电流,那么肯定是电源有内阻承担了另外过多的电压.此时二极管
正偏Ua=6.9VUb=6.2V再问：过程？计算题不是填空题！再答：10-0.7=9.3VR和2R分压分别为1/3和2/3，Ub=9.3*2/3=6.2VUa=Ub+0.7V=6.9V
你要弄清楚两个问题,才能解答这个问题.第一个问题你应该知的,就是二极管的正向导通电阻,它是非线性,通过的电流越大,电阻越小,即与电流成反比.第二个问题是万用表测量电阻的原理.你可以把万用表内部看成是一
二极管正向导通时的电压的大小,我们常用的是硅材料二极管,它导通时两端电压是0.7V,但锗的话是0.3V等等,所以导通电压是由材料而定.有专门的稳压二极管,由他的反向特性决定稳压大小.
PN结分为四个区,正向导通区,死区,反向截止区,反向击穿区,正向导通,反向截止,是PN结的一个很重要的特性,是本身就有的.
PN结的导通就是在PN结上外加一电压,如果P型一边接正极,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正
串联限流电阻阻值为：(5V-2V)/10mA=300Ω
当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向