mos管开电流可以从源极流向漏极吗-搜答案-智慧作业帮

N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的.具体可查你选用元件手册.

MOSFET开启电压5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要12+5=17V才能导通.这个说的对.Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压,超过就击穿

这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.

MOS管的栅极（gate）存在一个平板寄生电容,有兴趣可以看看半导体器件方面的资料如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电,所以栅极的电压其实还是基本维持在5V,越大的MOS管电容也就越大,这个现象也就

由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的

我们知道PN结其实就是一个电压叠势,阻止自由电子和空穴的扩散,形成电子的扩散与渗透的相对平衡.当外加电压正偏时,外电压消弱叠势电压而使PN结导通（加强扩散）,当外加电压反偏时,外加电压增强叠势电压而使

RU7088R：VGS＝10V,VDS＝70V,ID＝40A,

正极流向负极.

不好意思,这个不是我的专业,不过我想你只要在网上随便搜索一下,就可以找到很多

栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.

电路图上的三极管同一形号,其他元件数值都一样,所以通电後每一个三极管经其基极的22k提供偏压应在同一时间导通,而连接在每个三极管集电极上的LED同时点亮(电经470限流电阻,LED,三极管的c-e极最

MOS管的耐压一般是指源极和漏极之间的雪崩电压,如果在源极和漏极之间加上了大于它的电压,MOS管会立即损坏；最大电流是指最大漏极允许电流,MOS管在工作中不允许超出此电流,否则会严重发热而损坏；导通阻

这个东西在国内教科书里没有,必须找国外教科书才行.我印象中,20世纪50年代,美国的AT&T公司在研究FET特性时,利用过一个水闸模拟JFET控制机理的研究,这时把控制水闸（其实就是个水龙头）的开关认

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

电阻很难做进芯片内,体积也大,恒流源的作用和电阻一样,但可以用半导体做,能做到芯片内.

如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话

没有上下文不好解析,开关电流说不好,MOS管的峰值电流应该是管子的参数,就是能承受的最大电流,最大漏极电流和变压器一次测峰值电流是同一个东西,就是在电路工作的时候初级线圈的最大电流.

水为什么从上游流向下游?因为有水位差,有水压.电为什么从正极流向负极?因为有电位差,有电压.是一样的道理.

MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启.在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的.沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但

根据N沟道或P沟道不同而不同的.

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