mos管栅极电阻计算

N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的.具体可查你选用元件手册.

讲解这个很费功夫,我上次仔细讲解了一个,花了很多时间,后来他忘了关闭问题,结果,悬赏的100分,被另一网友投票拿走了.（拿到100分的“知友”仅仅提供了一灌水答案“OK”）再问：谢谢，不过你等于没讲，

MOSFET开启电压5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要12+5=17V才能导通.这个说的对.Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压,超过就击穿

MOS管的栅极（gate）存在一个平板寄生电容,有兴趣可以看看半导体器件方面的资料如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电,所以栅极的电压其实还是基本维持在5V,越大的MOS管电容也就越大,这个现象也就

由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

晶体管的输入电阻比较小,一般在K欧姆级别；等效电路是用电阻表示；MOS管的输入电阻比较大,一般在M欧姆级别；等效电路可以用开路表示.

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

测量短路本来就不应该通电或者在线测量,表会响只能说明有电流流过万用表,不能说明是管子短路造成的.

实际使用的时候,要想使其可靠截止,尽可能将VGS保持0或反向电压,即N沟道,VGS≤0V,P沟道≥0V.再问：恩，但是我的应用中，截止时Vgs的电压1V--1.5V，这样能导通吗？还有就是为什么截止了

栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.

加个470K左右试试,具体原因我也不是很清楚.我用irlml6402时,通过测试选用了470K的电阻.如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下,------------------------------

这个东西在国内教科书里没有,必须找国外教科书才行.我印象中,20世纪50年代,美国的AT&T公司在研究FET特性时,利用过一个水闸模拟JFET控制机理的研究,这时把控制水闸（其实就是个水龙头）的开关认

由问题可知你对MOS管还是有一定的了解.一般的回路图里,MOS管的源极接一个电阻,然后接地.此电阻一般很小,为毫欧级,主要用于电流采样,把电流讯号转化为电压讯号,用于监控回路电流.如还有疑问可把回路图

因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高,绝缘层很薄,栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管,在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管,所以要在MOS管栅极并联稳压管

因为场效晶体管的输入电阻rGS是很高的,比RG1或RG2都高得多,三者并联后可将rGS略去.显然,由于RG1和RG2的接入使放大电路的输入电阻降低了.因此,通常在分压点和栅极之间接入一个阻值较高的电阻

3A=0.7V/R16R16=0.233欧姆1,R16功率=2.1W（如果实际制作至少需要10W以上的电阻,或者采用多个并联）考虑电阻稳定漂移而产生阻值变化2,Q3也需要采用散热片,不然就会发热过大损

衬底在封装时已经于栅极相连了大多字面对自已时,左栅中漏右源

mos管驱动电阻烧了,说明这个管子已经击穿损坏了（管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的,mos管是电压驱动型器件）,再通电的话就可能会炸.再问：不是的，我后好直接把管子的删极电阻去掉，一加310DC电

管子选对了没?MOS管的驱动不是很简单就可以完美驱动的建议选TIP35或者其他三极管试下,另外选P沟MOS管或许好一些.删级加个下拉电阻看看.