NPN为什么要uce

aa《模拟电子技术基础》对三极管的外特性有很清楚的描述:集极电流Ib增大时,假设放大倍数不变,集电极Ic也会同比例增大.根据外特性曲线,Ic增大后,直流工作点从放大区向饱和区移动,Vce会相应减小,等

因为这时晶体管处于饱和状态,集电结和发射结都正偏,则很小的集电结电压变化即可引起很大的集电极电流变化.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

电压是由偏置电路中的电阻确定的,因而不随晶体管变化,而基极电流Ib则与晶体管等效电阻有关,故变化.建议参考童诗白、华成英《模拟电子技术基础》再问：Ic不是随Ib变化的吗？再答：Ic也会变的，只有电压是

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

1.NPN管(1)三极管损坏.发射结断路,因为NPN管正向导通电压0.7V左右.(2)三极管是饱和状态.因为发射结、集电结电压是正偏置.(3)三极管是放大状态.因为发射结正偏置,集电结负偏置.2.PN

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

管子接到电路中并不是一定是工作于放大状态下的,由各极的电位可以很方便的判断管子处于何种工作状态,管子工作于何种工作状态决定了UCE、UBE的大小.所以,一般测出各级电位先判断管子工作在何状态下的.

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

发射极加一个电阻是基本的放大器结构.如果电阻有并联一个电容,就是直流电流负反馈电阻,目的是稳定静态工作点,如某种原因（温度变化等）使集电极电流Icq增大,电阻Re上的电压也会增大,即发射极电位Ve上升

pnp型:E接+B接-C接-npn型:E接-B接+C接+而般电路中三极管共发射极接法的多,所以集电极C接负电源就说明是pnp管,这些都是电子技术中基础中的基础,还要努力啊.

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

因为三极管工作在放大状态时,基极和集电极的电流满足电流放大关系：Ic=βIb,因此只要工作在放大状态,基极电流不变时,即使增大Uce,Ic仍然是满足电流放大关系的,即Ic基本不变.

集电极电压大于发射极电压就可以判断为NPN管,PNP管是发射极电压大于集电极电压的.NPN管基极比发射极电压高于0.7V为饱和导通状态,低于0.5V为截止状态,所以基极电压比发射极电压高0.6V伏就可

1.大于1V是经验值.可以是0.9V,0.8V,但是这不符合人的习惯思维.至于本质上的解析你就要学学半导体器件了,模电书上是这样解析：实质上对于确定的Ube,当Uce增大到一定值以后,集电结的电场已足

这个很容易理解,为了从本质揭示道理,从基本原理说起,首先楼主知道两个常识：1,三极管导通后,有一放大效应,集电极电流Ic=β*Ib,这个本质原因就是发射极参杂了大量的多子,也就是自由电子,在适当的外界

一、判断三极管基极对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大

问的好这个要结合三极管的结构和工作原理来分析以NPN型管为例三极管工作与放大区时要求发射结正偏集电结反偏在发射结正偏电压的作用下,发射区中的多子电子流向基区,一部分在基区和基区的空穴复合形成基极电流,

当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时三极管已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,