npn管放大状态

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

这个简单,基极电压和发射极电压之间电位差是0.7v左右的是硅管,0.3v为锗管NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.

1：Icq=βIb=β(vcc-Ibe)/Rb2:Rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie=Icq3:参照有关资料,就不画了4：Au=Uo/Ui=-βRo/Rbe前面有个负号哦比较小,注意Ri=Rb

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

发射结正向电压即正向偏置,集点结反向电压即反向偏置

1.vbe=ub-ue=-0.2V,uc>ue,因此判断为截止状态的npn管；2.vbe=ub-ue=0.74V,vce=uc-ue=0.3V0.7V,再看ce结是否正偏,如果vce大于vbe则肯定处

判定下面三极管的工作状态,均为硅管NPN管：VB=3.7VVC=3.3VVE=3V集电结、发射结均正偏,管子处饱和状态；NPN管：VB=0.7VVC=5VVE=OV集电结反偏、发射结正偏,管子放大状态

截止放大

NPN型管集电极接负极,发射极接正极,电压要大于饱和电压.基极相对发射极为正.硅管约0.6v,锗管约0.2vPNP型管集电极接正极,发射极接负极,电压要大于饱和电压.基极相对发射极为负.硅管约0.6v

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

C1815=2PC1815=2SC1815,这是一个小功率NPN硅管,50伏,0.15安,0.4瓦,80兆赫.β=120-700之间.GR是半导体厂商字头,331表示放大倍数.（注：GR331这种形式

E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管.再问：意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？再答：硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断P

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为

可以知道,中间一个脚的电流是往外流出的,是5mA.这样就有0.1+5=5.1mA.由三极管特性可知,此管为PNP管,左边的脚是B极,中间的脚是C极,右边的脚是E极.很简单的一道题.

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为