迁移率

在调查种群密度时,需要有一定前提条件,比如说：在调查期期间出生率和死亡率不应有剧烈的波动,而且种群个体不存在大幅度的迁入和迁出,否则调查结果的误差会较大.因此,我觉得楼主提的问题本身就不是很正确.

1、DNA的分子大小及构型不同构型DNA的移动速度次序为：供价闭环DNA（covalentlyclosedcircular,cccDNA）>直线DNA>开环的双链环状DNA.线状双链DNA分子在一定浓

嗯,我算的也是14.63‰总迁徙率=（迁入人口+迁出人口）/时期平均人口*1000‰=（4+2）/（（400+420）/2）*1000‰=14.63‰

要看不同的材料的,ge的还si的是不同的,而且要看掺杂浓度的.一般来讲本征硅电子迁移率在1350cm^2/v*s本征锗电子迁移率在3800cm^2/v*s左右.

与胶琼脂糖的浓度是有关系的,还与DNA的性质（单链还是双链）有关.在0.7%、1%、1.4%、2%的琼脂糖凝胶电泳中,溴酚蓝的迁移率分别与1000bp、600bp、200bp、150bp的双链线性DN

半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素：一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的

影响DNA迁移率的因素主要有DNA的片断大小,DNA的结构.DNA片断越小,在电泳是迁移越快,反之,则越慢.DNA通常有三种不同的构象：共价闭合环状、线型、开环型.共价闭合环状的迁移速度最快,其次为线

Rf值就是比移值,计算方法是用你样品点的中心处与点样处的距离除以展开剂前沿与点样处的垂直距离.因此,Rf值是大于0小于1的.一个值对应一种物质

这句话是对的.7、下列人口数量动态的描述中,正确的是（ABC)A、决定人口数量变化的因素是出生率、死亡率和迁移率B、年龄组成是预测未来人口动态的主要依据C、人口数量问题既有其自然生理基础,又有其社会制

在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移

在假定迁移率不变的情况下,硅的电阻率由载流子浓度决定.室温下,硅有确定的本征载流子浓度.也即有确定的电阻率.在掺杂的情况下,掺杂的浓度会远大于本征载流子浓度.则硅的电阻率,就完全由杂质浓度来确定.所以

净迁移率=迁入率—迁出率；自然增长率=出生率—死亡率；即由增长数减去减少数

迁移率与散射机制有关,对半导体硅来说,最主要的散射机制是声学波散射与杂质离化散射,所以影响其迁移率的主要因素有：掺杂浓度,结晶质量,温度等

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中

一：向正极的迁移率val

所为空穴其实就是电子移动留下的“空位”,当某个电子移动留下“空位”以后,又有别的电子来填补这个“空位”从而留下新的“空位”看起来好像是“空位”在移动,空穴的概念就是这麽来的所以空穴的移动是不同的电子移

化学词典后面有附录,有数据的