PN结的单向导电性在什么外部条件下才能显示出来

PN结上的电压与电流不符合欧姆定律.当PN结外加正向电压时,电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时,电流约等于反向饱和电流.当外加电压极性不同时,PN结表现出不同的导电性能,即出现单向导电性.

PN结的导通就是在PN结上外加一电压,如果P型一边接正极,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正

温度升高,正向导通电压减小,反向击穿电压减小,反向饱和电流增大.即,相同的正向电压下,温度升高,正向电流增大.在未反向击穿之前,温度升高,反向饱和电流增大.温度升高后,管子更容易被击穿.比如20V反向

因为PN结反向截止时形成一个耗尽层,相当于一个中间绝缘层的一个小电容,因此当电压频率升高后,高频信号会通过这个小电容穿过,也就是反向信号也可以穿过二极管,就失去单向导电性了.这个小电容也就是二极管的结

正向导通、反向截止；反向击穿答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!

1导通2pnp和npn

你没必要纠结这个,我们不是搞理论研究的.你只要知道pn节油单向导通特点,会用万用表检测单向导电功能好坏就可以啦.原理是,pn节p型和n型的原子结构不一样,一个是电子型,一个是空穴型,电子和空穴都有扩散

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场.当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电

因为半导体是由许多原子组成的固体,所以不能采用一般化学键的概念来分析半导体的性质.需要采用固态能带理论及其中载流子的特性才能很好地说明；特别是PN结还牵涉到少数载流子扩散等半导体物理问题.

PN结的单向导电性是半导体器件的制造原理.半导体器件在实际生活中的应用极为广泛,可以说基本上有电子电路的地方就一定会用到半导体器件.半导体器件：如二极管,三极管,晶闸管等等.

整流,检波,钳位

肯定是金属的导电性要好啊,比如铜铝之类的,因为PN结是存在开启电压的一般0.7v左右,相当于一个消耗了0.7v压降的电阻.而金属虽然也有压降但不明显.否则0.5号电池提供的电压是1.5v的话用导线不会

PN结具有单向导电的特性,这也是由其构成的半导体器件的主要工作机理.如果在PN结上加正向电压,外电场与内电场的方向相反,扩散与漂移运动的平衡被破坏.外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电

PN结正偏时（导通）,反偏时（截止）,所以PN结具有单向导电性.

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结：一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结：一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主

PN结上电压与电流不是线性的.加上正向电压时,P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象,导致阻挡层变薄,正向电流随电压的增长按指数规律增长,宏观上呈现导通状态,而加上反向电压

先要知道～Si掺杂入3价元素就是P区,掺杂入5价元素就是N区．然后应该这么理解～PN结加正相电压,使空间电荷区减小,有利于多子的扩散,P区多子是空穴,少子是电子,N区多子是电子,少子是空穴．反之,当P

很小,导通,很大,截止

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!