Pn结饱和模式

PN结在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.基本特性 　在&n

pn结正偏电压大于0.7V就有电流再问：如果有电流，那PN结内就有空穴与电子，那么怎么还能有内建电场？再答：pn结内建电场是个定值，正偏电压达到0.7V时内建电场被抵消了，不是它本身不存在了再问：内建

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大,势垒抬高,耗尽层变宽,所以被反向抽走的电子和空穴就会增加,所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定.但是对于硅pn结,反向饱和电流一般在10e-14A～10

PN结是构成二极管的,而NPN或PNP是三极管,它是由两个PN结构成的.这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍,但是其内部结构只有有个了解认识就行了,不用深入研究,没有实际的用途.还是主要学习PN结的作

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

我想是没有反向电流密度公式这回事.由於在一定的反向电压下,反向的电流会很小(甚至为零);只是当反向电压达到某值后,反向电流就会激增,此时称二极管被击穿.通常我们会认为反向电流近似为零.

PN结：采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N

少数载流子浓度增大.

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减

+P-N-孔穴＞EP的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带-电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结,所以扩散运动越强,

aaa你这个涉及的方面比较多,有半导体器件的还有数电的我只会半导体的.

在一个半导体芯片上（大多是4价材料,即原子的最外层有4个电子）,一面掺入3价材料,另一面掺入5价材料.这样,就会在两个渗入层之间产生一个反向电场区,这就是所谓的PN结.其实,P区就是掺入了3价材料的多

当二极管两端还有明显压降时PN结处于“反向击穿”状态,有齐纳击穿和雪崩击穿但是若无明显压降,此刻二极管已损坏

热敏电阻吧有正温度系数和负温度系数2大类实际应用中没有用二极管做感温元件的

首先你要知道PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的.结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多,因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0

二级管或者三级管（晶体管）上的重要部分,通常是在一块N型（P型）半导体的局部再掺入浓度较大的三价（五价）杂质,使其变为P型（N型）半导体,在P型半导体和N型半导体的交界面就形成了一个特殊的薄层,称为P

PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结（PNjunction）一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是

单向导通性

以NPN管为例,三极管共有两个PN结：b-e间的PN结和b-c间的PN结.在三极管正常工作时（在放大状态下）,b-e间的PN结是PN通（正向）,b-c间的PN结是NP通（反向）.

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.