适配器中MOS管S极限流电阻炸了 是什么原因

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

是一上电就炸还是老化的时候炸?这个要知道了才可以分析,我是专业设计生产LED驱动电源的厂家,有什么问题可以随时交流.再问：谢谢.是在老化时炸,,冲的时候把限流电阻炸了再答：冲的时候把限流电阻炸了？不太

放大也可以但是不(A)低频更不可取.no（B）高频方面更不如三极管.也不是（C）至于饱和.MOS管有更低的内阻.所以（D）答案更适合.

简单地讲就是用栅极G电压的高低变化来控制源漏的导通和截止（通和断）.

在导通情况下,用万用表测量电阻值是不准的.根据戴维南定理,二端口网络的电阻是两个支路电阻的并联值.因此,要串个万用表测电流,在导通情况下,再使用另一个万用表测量其Vds.电阻等于电压除以电流.当然,这

粗略测量:设计一个电阻串联MOSFET的电路,给一个恒压源.设计电阻阻值来限制电流,测试MOSFET两端压降U/I=R

在选型MOS的时候,一定要看准你所需要的耐压、过流大小,电压并不是范围越大越好,盲目选择同类的高电压MOS会导致热耗增大!MOS是电压驱动型器件,为了增大MOS的耐压值,在工艺上会将导通内阻增大,这样

上管G只有0.38V根本达不到导通条件,先查驱动芯片7120的1、5、8、7脚有无正常电压查看原帖>>麻烦采纳,谢谢!

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

■这是一个用场效应管构成的稳压电源电路.左端是输入端,加进未经稳压的高电压,经过Q28输出后被R147和R148组成的分压器分成1/2的电压供给场效应管Q29.如果输出电压变高,Q29就更多地导通,于

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降.峰峰值和过电压的尖峰不是一回事.

没有变化的,或者说变化不大.G-S并电阻是为了保护MOS,从线路原理上说是不用加的,但实际的经验是要加的,一般是10K-56K,10K用得最多

N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D.增强耗尽接法基本一样.P是指P沟道,N是指N沟道.G：gate栅极S：source源极D：drain漏极说得够明白了.

这要你平时多留心观察了三极管国产的很好看型号定义功率但现在很少有国产的了即使国产也是进口标号了看个头吧比黄豆小的功率都小于1W大一点的带散热器的那种都大于10W放大倍数用数字万用表测就OK了二极管整流

分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理.　　我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流

3A=0.7V/R16R16=0.233欧姆1,R16功率=2.1W（如果实际制作至少需要10W以上的电阻,或者采用多个并联）考虑电阻稳定漂移而产生阻值变化2,Q3也需要采用散热片,不然就会发热过大损

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中

34063,开关最大允许通过电流1.5A,以75%效率计算,BUCK电路12VIN足够输出5V-1A-2A.不需要扩流.但是散热片一定要加.另如果扩流,选择TO220的三极管或者MOS当扩流开关管,也

1）首先获得触发端最大允许工作电流值（通过器件的参数）；2）计算或估算出触发支电路的最大工作电压（90°相角下）；即可据此计算出限流电阻的阻值和功率.