作业帮pro99中mosfet
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/08/27 10:56:32
IR~系列功率场效电晶体看看下面这个网址：
一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路,包括：开通回路、放电回路、加速回路、MOS管、第九电阻、第十一电阻；所述加速回路有第二电阻与第一电容串联组成,所述加速回路一端连接在PWM信号端,另一端与开通
金属－氧化物场效应管.
TOSHIBA的2SK2968这款MOSFETVdss：900V、Id：10A、Pd：150W符合你的要求.
开关电源的原理就是将工频交流变成直流,再将直流变换成高频交流,通过开关变压器,反馈稳压等过程变成你所需要的电压的后,通过整流,滤波,再变换成直流的过程,而MOSFET在整个过程中通过其不断的开与关,使
从顶部到底部的封装类型的电路,源极-漏极击穿电压,导通电阻的源极和漏极,其漏极电流25摄氏度,100摄氏度,栅极电荷（典型值）的漏电流,栅-漏极电荷（典型值）,热敏电阻,功耗,后者三是无论是生产,无论
压降和电流决定其功率.大功率mosfet压降很小,主要看额定电流.额定电流越大,功率越大.
N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面,N沟道的Vgs是正的,P沟道的Vgs是负的.只要Vgs达到了打开的门限值,漏级和源级就可以过电流了.
高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)它的热阻低,针对马达驱动器、负载开关及液晶显示器（lcd）背光反向照明器应用,它能够帮助设计师减少损耗,提高电路效率
开关电源目的把直流型电源变为另一个直流型电源.为了变压,需要采用变压器；而变压器线圈只能感应交流电,所以我们通过一个电控开关（Mosfet和IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压
有啊怎么没有在元件库文件里有个PSPICE的文件夹里面有个PWRMOS库文件就是了
从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P
你写的这个东西的中文名全称叫做“N沟道增强型金属氧化物半导体场效应管”在电子电路中起到电子开关的作用,常在电力电子中使用,大多数都是功率器件.
不太明白你说的意思,是不是按照matlab中simulink的概念来使用pspice的呢?如果是,完全没有必要这样来操作的,pspice中针对每一种mosfet的模型,都是根据该mosfet自身的电及
MOSFET有三种封装TO-220,SOT23（贴片）,TO92,功率大的一般为TO-220；这要看你选型的是哪一种封装的,都在库ADVpcb.dbb里
极限参数ID@Tc=25C°Vgs@10V17Amosfet芯片case温度在25C°、栅极电压为10V时,芯片允许通过的最大连续漏极电流为17A如果芯片case温度上升到100C°,则漏极电流下降为
MOSFET的最大载流能力受到2方面限制：一方面是管芯限制,即siliconlimit.由于通态电阻Rds(on)以及米勒电容引起的导通损耗和开关损耗,会带来功率损耗powerloss,这些损耗就以大
MOSFET的各个尺寸按一定比例缩小的同时保持MOSFET特性基本不变.这些尺寸包括器件长、宽、氧化层厚度、源漏结深等等.分constantvoltage和constantfield两种.
看你测试的实验条件是不是一致,测量过程中可能还有测量误差,包括电路中的寄生参数,寄生的电容,电感都会影响开关时间.
封装限制.由于器件的封装体积等关系,器件的散热性能及内部引线载流能力等等因素,限制了器件的工作电流.