霍尔效应在导体和半导体中都能产生,为什么霍尔元件采用半导体材料

当电流垂直于外磁场方向通过导体时,在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应,该电势差称为霍尔电势差（霍尔电压）.

根据加磁场后形成的电场方向判断半导体的类型.由于空穴和电子带电性不同,给一块未知类型的半导体施加恒定的电流,半导体内的空穴运动方向与电流方向相同,电子运动方向与电流方向相反.再给这块半导体施加一个垂直

金属的霍尔效应比起半导体是有差距的,灵敏度不及半导体,所以不用金属.

你自己也说了正负电荷受洛仑兹力方向相同,但产生的电势高低就相反了.所以,半导体中自由移动的电荷类型不同霍尔电势差方向就相反了.N型半导体的载流子是电子,P型半导体的载流子是空穴（等效于是正电荷定向移动

加相同的电流与磁场,不管是何种载流子,载流子偏转方向总是一样.（从宏观上考虑,即电流与磁场都相同了,则安培力也一定相同；从微观上看,空穴运动方向与电流相同,电子运动方向相反,但电荷也为负,最终负号抵消

是空穴,半导体中有两种载流子,一种是电子,一种是空穴,电子带负点,空穴带正电,不同的半导体载流子不同,载流子说的通俗一点就是电荷传输的载体,金属导体中电子就是载流子

那要根据你产品的类型来分,一般大学试验中的半导体霍尔系数大约为10的三次方数量级.工厂里的药跟踪霍尔器件的应用来考虑

霍尔效应:通有电流的导体或半导体放在与电流方向垂直的磁场中,在垂直于电流和磁场的方向,物体两侧产生电势差的现象.其实可以用左手定则推出的,电子被偏转在一边的极板上,另一边代正电,就形成了电势差.

霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall,1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的.当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端

根据霍尔板两端的电压高低

要问什么?1、半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间,其电阻受温度影响较大．如图甲是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图像.根据这种半导体材料电阻的特性,小明和他的同学设计了一个电路（如图乙）,可

霍尔效应在1879年被E.H.霍尔发现,它定义了磁场和感应电压之间的关系,这种效应和传统的感应效果完全不同.当电流通过一个位于磁场中的导体的时候,磁场会对导体中的电子产生一个横向的作用力,从而在导体的

解题思路：利用电磁知识的仪器仪表解题过程：电子天平：是采用电磁力平衡的原理，应用现代电子技术设计而成的。它是将称盘与通电线圈相连接，置于磁场中，当被称物置于称盘后，因重力向下，线圈上就会产生一个电磁力

霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段.还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放

可以简单地说-----叶绿体和线粒体膜上都有能够进行电子和质子传递的的相关酶叶绿体光合作用第一步将水光解产生还愿态的氢,线粒体三羧酸循环也能产生还原当量--氢这些还原当量通过电子质子传递体（就是刚才提

利用霍尔效应可以测量半导体到底是n,p型的把载有电流的半导体放在垂直于电流方向的磁场中时,半导体会产生横向磁场的效应.具体仪器很多,你可以查一下

霍尔效应是电子与空穴受洛伦兹力影响的结果.安培力与洛伦兹力并无本质区别,安培力是洛伦兹力的宏观表现,洛伦兹力是安培力的微观表现.直流电流在磁场中所受安培力与霍尔效应有关,安培力越大,霍尔效应越显著.再

可以,半导体材料的导电性与外界环境有关,所以可以制造许多敏性器件,例如光敏材料、热敏材料等,都是通过环境的变化来改变了半导体的导电性,从而实现自动控制的

霍尔效应的本质是：固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两

霍尔效应在1879年被E.H.霍尔发现,它定义了磁场和感应电压之间的关系,这种效应和传统的感应效果完全不同.当电流通过一个位于磁场中的导体的时候,磁场会对导体中的电子产生一个横向的作用力,从而在导体的