霍尔电动势公式推导
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/18 02:20:44
当一块半导体薄片置于磁场中有电流流过时,电子将受到洛伦兹力的作用而发生偏转,在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势.
推导思路:将椭圆绕X轴一周,只考虑x在[0,a]的半边体积.从0,到a将椭圆切片积分得整体椭圆的体积为:
磁感应强度b与霍尔元件平面法线的角度再问:霍尔电动势公式中的角θ是指()。A.磁力线入射角B.磁场激励角C.磁场与霍尔元件薄片法线夹角再答:c
答:设载流子的电荷量为q,定向移动的速度的平均值为v,磁感应强度为B,平衡时有q*v*B=qE得E=v*B设L为金属片的宽度,电场为匀强电场,于是U=E*L=v*B*L设单位体积内的载流子数为n,则根
当施加的外磁场垂直于半导体中流过的电流时,会在半导体垂直于磁场和电流的方向上产生霍尔电动势
最佳吧当施加的外磁场垂直于半导体中流过的电流时,会在半导体垂直于磁场和电流的方向上产生霍尔电动势
在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势UH(称为霍尔电势电压),这种现象称为霍尔效应.霍尔电动势的大小正比于控制电流和
E=KIB.K是霍尔元件的灵敏度系数.I是电流.B是与I和E均垂直方向上的磁感应强度.因此,霍尔电动势由B的大小及方向决定.
用判断洛伦磁力的方法判断带电粒子的受力方向,然后再判断金属块中两边积累的带电粒子的所带的电荷属性(正电荷、负电荷)就可以判断出霍尔电动势方向
有两个:一个是求平均感应电动势:E=nBS/T;另一个是求瞬时感应电动势:E=BLv.
E=IR+I
E=U外+U内
设:d为薄片厚度,k为霍尔系数,a为极板长度,Bqv=Uq/aI=nqdavU=BI/nqd=kBI/d所以,k=1/nq
应该是"不用电流表"只有电压表时,必须要有定值电阻或电阻箱,这样才能计算未知的电流I.故实验器材是:待测电源,定值电阻(至少)两只R1、R2或电阻箱一只,电压表,导线,电键等.E=U1+U1r/R1(
先说明一下,这个公式是线圈在匀强磁场中旋转时的最大感应电动势公式,所以最好写成Em=nBSω推导:设磁感应强度的方向与线圈平面垂直的时刻为t=0时刻,那么通过线圈的磁通量写成Φ=BScosωt那么E=
电路回路里面若不计内阻:E=IR总若计内阻:E=U内+U外=I(r+R)电磁感应里:1,计算平均电动势的通式:E=n△φ/△tn是线圈匝数,△φ/△t磁通量变化率2,导体杆垂直切割磁感线杆两端的电动势
有些概念你没搞懂,电动势的概念不是乱用的.设有两个电荷Q1和Q2,那么Q1的电场的电势为U=K*Q1/r电荷Q2处在Q1的场中,那么它有一个电势能,这个电势能就是E=Q2*U=K*Q1*Q2/
霍尔效应:在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象. 公式如图
假设线圈从中性面开始匀速转动,角速度ω半径r有效切割长度l(默认为矩形线圈)E=ΔΦ/Δt=nBΔS/Δt=nBlvtSinωt/t=nBlvSinωt=nBlωrSinωt=nBSωSinωt可见当
当ab的运动方向与磁力线平行时,感应电动势e=0当ab的运动方向与磁力线垂直时:感应电动势最大,即e=Em=2BLv下面来讨论sinwt的来源:例如在图示位置处,ab垂直于磁力线的速度分量为:v'=v