霍尔系数Rh与半导体中载流子类型有何关系
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/08/23 16:33:41
既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是
图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系:等号左边的符号即为电导率;等号右边第一个字母n即为电子浓度(在P型半导体中则为空穴浓度p),一定体积的半导体中,电子浓度与载流子数量成正比;第二个字母q为
加相同的电流与磁场,不管是何种载流子,载流子偏转方向总是一样.(从宏观上考虑,即电流与磁场都相同了,则安培力也一定相同;从微观上看,空穴运动方向与电流相同,电子运动方向相反,但电荷也为负,最终负号抵消
是空穴,半导体中有两种载流子,一种是电子,一种是空穴,电子带负点,空穴带正电,不同的半导体载流子不同,载流子说的通俗一点就是电荷传输的载体,金属导体中电子就是载流子
物理实验全解实验一霍尔效应及其应用【预习思考题】1.列出计算霍尔系数、载流子浓度n、电导率σ及迁移率的计算公式,并注明单位.霍尔系数,载流子
那要根据你产品的类型来分,一般大学试验中的半导体霍尔系数大约为10的三次方数量级.工厂里的药跟踪霍尔器件的应用来考虑
RH=1/nq
霍尔灵敏度通常可以表征霍尔常数,其值是由材料的性质和元件的尺寸决定的,它决定了I、B一定时活儿电势差的大小,对于一定的元件它是常量.霍尔系数表示霍尔效应的强弱.在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流
根据霍尔板两端的电压高低
N型半导体的多数载流子是电子.
霍尔系数(又称霍尔常数)RH 在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即UH=RH*I*B/δ,式中的RH称为霍尔系数,它表示霍尔效应的强弱.另
设:d为薄片厚度,k为霍尔系数,a为极板长度,Bqv=Uq/aI=nqdavU=BI/nqd=kBI/d所以,k=1/nq
空穴呗正负粒子貌似是堆在壁垒区的吧
R=1/ne不确定
载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度;载流子空穴的浓度主要取决于电压?(这个不太拿得准)
在实验仪器的线圈上有,仪器上标的一般是(4.62)KGS/A表示的是B/Is的大小,其中4.62是你要读的,每台仪器不一样
P型半导体空穴导电霍尔系数R=1/pq>0N型半导体电子导电霍尔系数R=-1/nq
这是半导体物理中的一个重要而具有深刻物理意义的问题.首先要弄清楚,半导体晶体中的载流子不一定会遭受散射,因为排列很规则的晶体原子并不散射载流子,这些原子只决定晶体电子的状态——能带.其次,之所以载流子
半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定(迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s);半导体中的载流子一般