高压N型耗尽型晶体管

前段220V到12V,桥式整流,变压器（网上一搜一大堆）後端串联稳压,选个合适的BJT（接法类似共基极放大电路）,和稳压管连接组成一个串联型稳压电路.（电路图网上也有）

硅管,NPN,放大状态下……

建议你使用集成运算放大电路,这样很简单,请看我给你画的图：里面的电源,使用了两组,每组都是15V.若你的输入信号幅度不大,当然就可以用较低的电源电压,只要保证输出信号电压的幅度比电源电压小1V就行.

这是一个负反馈电路从输出电压采样,当输出电压增高时使调整管基极电流减小,调整管压降增大,保持输出电压亚稳定,反之依然

http://wenku.baidu.com/view/6bc18bd4c1c708a1284a44ae.html我给你个链接了,这里面讲得非常详细了.对于初学者来说很容易懂得了.

一般PLC的直流电源都是用开关电源.2种PLC都要用到直流电源的,只是晶体管型的,可能处接直流继电器会多点,所以需要的直流电源的功率要大点.

高位用三极管不一定PNP.但为了简单,多数用PNP.NPN型需要发射极接负电压,PNP型需要发射极接正,只要明白NPN行的工作原理,PNP型把正电源理解为地,就好理解了.硅管的饱和压降（0.3V）,低

不知楼主选择是否看区域,我有个朋友用的是武汉的,这个单位是专业生产高压过滤器的,记得单位名称是武汉阳逻机电设备有限公司,百度一下应该有这个企业网站的,可以具体了解一下!

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

PNP型三极管与NPN型三极管区别2个PN结的方向不一致.PNP是共阴极,即两个PN结的N结相连做为基极,另两个P结分别做集电极和发射极.NPN则相反.

PNP管电流控制作用：当PNP管的VC

例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）后才能使沟道消失（整个沟道夹断）,这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型

NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,

P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还

为了使PNP型晶体管工作在放大状态,应保证集电极电流小于集射间的饱和电流,即满足：Ic~BxIb

串联分压电路；电压负反馈类型.

这个管子损坏,答案D原因：PNP管子工作在饱和区和线性区时,其发射结电压降Ueb≈0.7V；管子处于截止状态时,Ueb≤0.3V从所给数据判断,此时Ue=6v,Ub=2VUeb=4V远远大于上述两种值

这个东西,单凭几句话说不清楚的.我还是建议你多看几本书,不要局限于手头一本教科书,最好看看国外的模电教材（现在有很多翻译本）,多看几本,就看这块.可能会有一种说法能适合你.要理解好FET,基础还是前面

渗入二氧化硅（P型硅、N型硅）最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体.这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）再问：您好，可能是我

你是没搞清楚运放和比较器的区别.运放在工作范围内输出电压是和输入电压线性变化的；而比较器只是一个比较作用输出电平就是高和低.搞清楚运放和比较器的定义你就明白了