．无限长的均匀带电棒,其电荷线密度为λ,质量为m的q点电荷由静止释放,

“元电荷”又称“基本电量”,是物理学的基本常数之一,基本电量e=1.6×10^-19库仑.一个电子或一个质子所带的电荷量为一个元电荷,但是电子或质子本身不是元电荷.所以①②③是正确的,而④是不正确的.

高斯定理,先考虑某一根导线产生的电场以某一根导线为圆心作高为h,半径为2a的圆柱面对称性可以知道电场只能垂直于侧面因此高斯定理：E*2*pi*2a*h=h*λE=λ/(4*pi*a)那么单位长度的令一

线密度!是面密度吗?如果是,以下是解答.本题需要运用电场的高斯定理.证明很繁琐,这里不便给出.所以只说明一下结论：通过任意闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围的所有电荷量的代数和与电常数之比.公式为：

E(r)【矢量】=0(rR),

使用高斯定理,取一圆柱面,使之轴线与直细棒重合,按高斯定理有电通量Ψ=4πkq=q/ε0,Ψ=∮E·dS=E·2πrh,r为圆柱的底面半径,h为圆柱的高.又因为q=λh,所以E=λ/2πrε0=2kλ

由C=Q/UU=Q/C=Ed微粒做匀速直线运动mg-qQ/cd=0电量加倍后微粒向上做匀加速运动（类平抛）2qQ/cd-mg=maa=g因为板足够长,微粒打在上板d/2=1/2gt^2t=(d/g)^

带点导体球壳的电势和内径无关,它的表面的电势是U=kq/R2,所以球外距离球心r处的场强就是Er=kq/r^2=UR2/r^2

选两柱之间的半径为r处的无限圆筒为高斯面由对称性知电场仅有径向分量E_r取长为L的一段高斯面高斯面面积为2*pi*r*L内部电荷为Q=a*LE*2*pi*r*L=a*L得E=a/(2*pi*r)

由平行板电容器的场强公式E=Ud、Q=CU整理得：E=QCd粒子沿两板中央水平射入的带电荷量为q的微粒恰好做匀速直线运动，由平衡条件得：qE=mg若使电容器带电荷量为2Q，极板间的场强为：E2=2E所

就是运用环流定律.在导线内部的圆环中没有电流,所以磁场是0.在导线外部的圆环中电流是I,故根据B*2πx=μ*I得B=μ*I/(2πx)故选B.

真空中无限长的均匀带电直线的电场强度E=λ/2πεox﹢λ在P1处的场强为λ/2πεod方向沿x轴正方向﹣λ在P1处的场强为λ/2πεod方向沿x轴正方向则叠加后Ep1=λ/2πεod+λ/2πεod

设该立方体的边长为a,考虑以点电荷为中心,边长为2a的立方体,根据高斯定律,大立方体的每一个面的电通量是q/6ε,然后由于原来的立方体之中有三个面分别是大立方体三个面的1/4,由对称性可以知道这三个面

2πrhE=λh/ε.因此高斯面上任意一点的电场强度的大小为E=λ/（2πε.r）

可以采用高斯定理,作一个以直导线为轴心,底面半径为R,高为L的圆柱封闭面,E×2πRL=ρL/ε.所以E=ρ/(2πRε.)

物理书上有无限长的带电导线在线外任意一点产生的场强的公式,自己看吧那个东西实在不好打

外磁场为零,内磁场为B_r=1/2μ_0pw(R^2-r^2),其方方向与角速度方向相同.其中R为圆柱半径,B_r为距离轴线距离为r处的磁场的强度.

这里可以用高斯定理.首先确定那一条线肯定在这两根线的平面,对两根线做高斯圆柱面,圆柱高h,底面半径是R,x的那条由高斯定理得到E*2πRh=xh/ε则任一点由x产生的场强是Ex=x/(2πRε)同理y

利用均匀带电球面内部的电势为常数,以及电势连续性、叠加原理,可知,U(P)=Q1/(4πε0·R1)+Q2/(4πε0·R2)

E1=λ1/(2π*ε0R1）,E2=λ2/(2π*ε0R2）,E1-E2=λ1/(2π*ε0R1）-λ2/(2π*ε0R2）=0；R1+R2=d,解得：R1=λ1d/(λ1+λ2)