ube=0.3

Ui=0.3  Ube=0.7v,Ui<Ube,截止,U0=Vcc=5v  2.Ui=1     Ube

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

计算条件不足.故假设U1=U2=0V,则ICQ=((UEE+VBE)/RE)/2(取决对值),UCEQ=UBE+UCC-ICQ*RC.ICQ=((-15+0.7)/10)/2=0.715mAUCEQ=

ube电压就是一个pn结,硅管的一般是0.6-0.8v,0.7是估算值,pn结不是有一个温度系数α=△Uz/△T,稳定电压小于4v,管子具有负温度系数（属于齐纳击穿）,温度升高压降下降再问：书上怎么说

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

根据你提供的参数可以判断出这是一只硅型三极管,如果用万用表的正极连接三极管的基极,那么根据数据分析是硅NPN三极管.如果用万用表的负极连接三极管的基极,那么应该是一只硅PNP三极管.

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

1、静态工作点：VB＝Ube＝0.7V,Ib＝(Vcc－Ube)/Rb＝(12－0.7)/450＝0.025mA,Ic＝阝Ib＝100x0.025＝2.5mA,Uce＝Vcc－RcIc＝12－3x2.

a、480KIb=Ic/βIb=(Vcc-Vbe)/Rb≈Vcc/R

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

12-3=9V9V/(5+3)=1.125mAUB=0.7+3*1.125=4.075V

Ib=4.3/5ok=0.086maIC=0.086*50=4.3ma2.5*4.3=10.75管子深度饱和

ib=（2-0.7）/50=0.026mAic=0.026*100=2.6U0=15-5*2.6ics=（15-0.3）/5=2.942.94/100=0.0294=（2-0.7）/Rb求出Rb再问：

Ube小于0.3V,三极管截止,根本无法放大

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

一、判断三极管基极对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大

电子电路一般都是估算,计算精度要求不高.第3问题,就是三个电阻并联,Rb1、Rb2被认为太大,不用参与计算,忽略了所以ri=rbe

ib=（10-0.7）/20=0.465maic=（1+50）*0.465=23.715ma三极管饱和失真,近似认为uce=0或0.3icmax=10/2=5ma再问：为什么饱和失真就近似认为uce=

UCE不可能是负2伏,应该说UCE不可能是负压,直流通路的情况下,IB=（2V-0.7V）/20k=65uA,IC=βIB=3.25mA,UCE=10-（IC*2k）=3.5V