由于硅材料是间接带隙的半导体材料,因此不易放光.
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/11/07 18:01:29
由于硅材料是间接带隙的半导体材料,因此不易放光.
首先这句话对吗?如何全面的理解这句话?直接带隙半导体材料就容易发光?材料本身不发光,做成什么结构和采取什么措施让它发光呢的?
这句话我总觉得是错的 简直是胡言乱语,扰乱视听.我想听听大家的说法
首先这句话对吗?如何全面的理解这句话?直接带隙半导体材料就容易发光?材料本身不发光,做成什么结构和采取什么措施让它发光呢的?
这句话我总觉得是错的 简直是胡言乱语,扰乱视听.我想听听大家的说法
简单点说,从能带图谱可以看出,间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热能释放掉.
而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化,而无位置变化,于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来.
想让间接带隙材料发光,可以采用参杂引入客发光体,将能量引入客发光体使其发光(提高发光效率)
而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化,而无位置变化,于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来.
想让间接带隙材料发光,可以采用参杂引入客发光体,将能量引入客发光体使其发光(提高发光效率)
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