模拟电路里的工艺角的具体涵义是什么
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/08/29 04:09:38
模拟电路里的工艺角的具体涵义是什么
为什么ss是最慢的,ff是最快的,这个快慢是由谁决定的?对器件的性能有什么影响吗?
为什么ss是最慢的,ff是最快的,这个快慢是由谁决定的?对器件的性能有什么影响吗?
ss:NMOS/PMOS Vth较高,ff:NMOS/PMOS Vth较低;
阈值电压Vth的高低直接影响器件的性能,
同样的条件下,Vth低相应的跨导gm,电流I都会较高:
gm=k*(W/L)(VGS-Vth),
Isat=1/2*k*(W/L)(VGS-Vth)^2
GBW=gm/Cc
……
再问: 请问:工艺角中的slow和fast是指什么的快和慢?这其中的快和慢是由谁决定的?
再答: 工艺角中的slow和fast可以认为就是"速度"的快慢,工艺角一般包含MOS/Resistor/Capacitor/BJT不同器件类型,不同器件快慢的决定因素不同,比如说MOS的快慢一般就是指阈值电压Vth的高低,运放中有GBW=gm/Cc,如果其他条件相同,Vth越低,gm越高,带宽GBW(速度)越大(越快); 电阻R的快慢一般就是指电阻的方块阻值的大小(fast对应的方块阻值最小,slow对应的方块阻值最大),电容cap的快慢一般就是指单位面积电容的大小(fast对应的单位面积电容最小,slow对应的单位面积电容最大)--形象地说就象RC时间常数,RC越大,速度也就越慢; ---你可以查看工艺库.lib文件,比较不同corner下的参数差别就知道了
阈值电压Vth的高低直接影响器件的性能,
同样的条件下,Vth低相应的跨导gm,电流I都会较高:
gm=k*(W/L)(VGS-Vth),
Isat=1/2*k*(W/L)(VGS-Vth)^2
GBW=gm/Cc
……
再问: 请问:工艺角中的slow和fast是指什么的快和慢?这其中的快和慢是由谁决定的?
再答: 工艺角中的slow和fast可以认为就是"速度"的快慢,工艺角一般包含MOS/Resistor/Capacitor/BJT不同器件类型,不同器件快慢的决定因素不同,比如说MOS的快慢一般就是指阈值电压Vth的高低,运放中有GBW=gm/Cc,如果其他条件相同,Vth越低,gm越高,带宽GBW(速度)越大(越快); 电阻R的快慢一般就是指电阻的方块阻值的大小(fast对应的方块阻值最小,slow对应的方块阻值最大),电容cap的快慢一般就是指单位面积电容的大小(fast对应的单位面积电容最小,slow对应的单位面积电容最大)--形象地说就象RC时间常数,RC越大,速度也就越慢; ---你可以查看工艺库.lib文件,比较不同corner下的参数差别就知道了