如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：物理作业时间：2024/07/08 12:39:01

如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L(L < d)、质量为m、电阻为R.现将线框在磁场上方h高处由静止开始释放,当ab边刚进入磁场到cd边刚穿出磁场的整个过程中,下列说法错误的是（）

BCD不正确
每个时间点瞬时安培力是
BL(BLv/R)
进入磁场时安培力*单位时间的累积（冲量),这里只有v关於时间变化,进入线圈是v关於时间的累积是BL(BLL/R) （所有瞬时v加起来是L,进入线圈过程中或开始出线圈过程中才有安培阻力）
=B^2L^3/R
出磁场时安培力的冲量也是一样
安培力总冲量2B^2L^3/R
A正确
E=(BLv)
Fa=BIL=B(BLv/R)L
随著速度增加,安培阻力增加
若安培阻力等於重力时,速度开始不变
mg=Fa
mg=B^2L^2v/R
v=mgR/(B^2L^2)
若时间来得及允许安培力撑到匹敌重力,那麼
v在进入过程时的最大值可能是mgR/(B^2L^2)
（或者dL）
且B说的是最小速度不是最大速度
B不正确
总而言之,进入磁场后速度只能增或不变,
最小速度是刚进入时候=根号(2gh)
C不正确
D应该问的是电功,这个和下落靠引力增加的动能mgd应该无关的,D不对
以下无关此题纯属娱乐
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举个例子,进入磁场过程中,可以安培力和重力可达到平衡的情况下,电流做功的算法
I=BLv/R
E=BLv
∫ (BLv)^2/R dt
dv/dt=mg-BIL
dt=dv/(mg-BIL)
∫(BLv)^2/{R(mg-BIL)} dv
=[(BL)^2/{R(mg-BIL)} ] v^3/3 (根号(2gh)~mgR/(B^2L^2))
=[(BL)^2/{3R(mg-BIL)}]((mgR)^3/(B^6L^6)-(2gh)^1.5)
再问：可以肯定你是高手，非常感谢你的回答。不过我还有些疑问：

对于A答案，我完全赞同
再答：对了，我忘了一件事，阻力的负功会产生热量，因为总能量守恒，动能变少了阻力做功其实是变成热量了(比如飞船进入大气层),然後还应该有大部分电功。阻力做功肯定是小於mgd的，因为安培力从无到有到，条件润徐可以匹敌重力，那麼阻力做功一定是小於重力做功mgd的(所以忽略电流做功这里也不对)。
假设电流做功全转化为热量，电流做功做出来加上去也肯定不符合的。
再问：

如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B；一正方形线框abcd边长为 12.如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方形线圈abcd边长为L 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L 如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方行线圈abcd边相距为d的两水平虚线P1,P2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界,磁场的磁感应强度为B. 如图所示，水平的平行虚线间距为d，其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l（d＞l），质量为m，电阻为R. 如图所示,虚线方框中是磁感应强度为B的匀强磁场区,磁感应强度方向垂直纸面向里,边长为L的正方形导线框abcd以角速度绕O 边长为L的正方形闭合金属线框,其质量为m,回路电阻为R.图中MNP为磁场区域的边界,上下两部分水平匀强磁场的磁感应强度大为什么D选项是对的,求详解.如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场. 如图所示，L1和L2为两条平行的虚线，L1上方和L2下方都是垂直纸面向外的磁感应强度相同的匀强磁场，A、B两点都在L1上如图所示,水平放置的两平行金属板之间电压为U、相距为d,板间存在感应强度为B的匀强磁场,