关于光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命的问题

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：物理作业时间：2024/11/08 04:47:42

关于光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命的问题
1,为什么样品周围和电极附近不要受光照?
2,样品电阻率不均匀会造成什么结果?
3,样品电流大小会对测试结果带来什么影响?
比较了解这些的前辈们希望你能帮我解答一下,谢谢.

1：为什么样品周围和电极附近不要受光照?
答：因为表面处不够光滑,比较粗糙,受到光照会使表面复合的影响增大,造成测量的少子寿命比实际寿命值小,所以要选择较大的样品,进行化学抛光,从而减小样品的表面复合效应.
2：样品电阻率不均匀会造成什么结果?
答：样品电阻率不均匀会使得样品中不同处所测的的少子寿命不同,则某一次的少子寿命测量值并不能代表半导体的寿命.多次测量取平均值能减小电阻率不均匀的影响
3：样品电流大小会对测试结果带来什么影响?
答：若样品中电流过大可能会造成样品测量中并非小注入条件,从而使得测量的多子的寿命,而非少子的寿命.而若电流过小,可能不易观测到少子从复合,恢复到平衡状态的过程,而使测量遇到阻碍.

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