MOS管栅极串联电阻如何确定
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/10/06 22:04:41
MOS管栅极串联电阻如何确定
这只是定性分析,可以定量吗
这只是定性分析,可以定量吗
从理论上说,MOS管的输入电阻很大,所以这个电阻绝不是为了提升输入电阻或者限流作用.
在低频条件下,这个电阻有点安慰性质,不接也罢.
但在高频时,情况就变了,MOSFET的输入阻抗将降低,而且在某个频率范围内将变成负阻,会发生振荡.
为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时,di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值.通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) .另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅源间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右.
这个Rg的值,你可以在datasheet中,Td on 和Td off一栏后面可以见到.
你可以直接使用这个数据.
PS:到现在为止还没搜索到这方面的定性计算公式.仙童公司出过一份关于MOSFET基础知识的资料,全英文的,里面有一些谈及.
在低频条件下,这个电阻有点安慰性质,不接也罢.
但在高频时,情况就变了,MOSFET的输入阻抗将降低,而且在某个频率范围内将变成负阻,会发生振荡.
为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时,di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值.通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) .另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅源间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右.
这个Rg的值,你可以在datasheet中,Td on 和Td off一栏后面可以见到.
你可以直接使用这个数据.
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