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为什么PMOS的阈值电压比NMOS要大

来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/07/07 11:05:18
为什么PMOS的阈值电压比NMOS要大
阈值电压和以下几个因素有关:栅电极材料类型,栅氧化层厚度,衬底掺杂浓度,栅氧化层层中的电荷密度等相关,一般工艺中N/P MOS的栅氧化层厚度tox都是相同的,栅电极材料类型也相同,栅氧化层层中的电荷密度也相同,但是衬底浓度却不一样,NMOS直接做在Psub外延P-epi上面,而PMOS 做在P-epi的NWELL上面,所以NWELL的杂志浓度比P-epi跟大一些,衬底浓度越大,对应MOS管的阈值电压也越大,所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些.