PECVD定义
来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/10/04 15:31:57
PECVD定义
PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜.为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
PECVD优点:基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂.
PECVD缺点:
1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高;
2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害;
3.对小孔孔径内表面难以涂层等.
常见的PECVD薄膜:
氮化硅、氧化硅、氮氧硅等
PECVD优点:基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂.
PECVD缺点:
1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高;
2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害;
3.对小孔孔径内表面难以涂层等.
常见的PECVD薄膜:
氮化硅、氧化硅、氮氧硅等