如果改变晶体管的基极电压的特性,使发射结由正偏导通改为反偏

如果输入电压U提高R上的电压也会提高,B与E之间的电压基本保持不变.基极电流会增加,E极电流是基极的β+1倍例如：U=2伏R=1KUbe=0.7伏Ib=U-Ube/R2-0.7=1.3伏1.3/1=1

没有等式只有关系：以NPN三极管为例,集电极电压高于基极电压,基极电压高于发射极电压.集电极电流等于基极电流的β倍（三极管电流放大倍数）,发射极电流等于基极电流加集电极电流.再问：我在书上看到直流通路

三极管是电流放大期间,不是电压放大器件.三极管有个参数,就是电流放大倍数β基极电流*β=集电极电流.一点点的基极电压不足以让基极产生电流,有个死区电压,大约为0.3-0.5V.电压达到一定程度后,电压

三极管输入特性曲线是反映ib与ube的变化关系,你说的uBE总是在0.7左右,是指在正常的放大状下,但ube可以在0V-0.7V之间变化呀.你强行在uBE两端加上电压2v,那三极管就立即烧坏了,还谈什

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

我是这样认为的,你说的应该是集电极输出电路,以NPN管为例,这种电路的特点是在集电极C和电源+E之间要接入一个电阻,通常我们称这个电阻为集电极负载电阻,当基极为正时（由0到正）,因为三极管的放大作用,

npn三极管需要一个约0.7v偏置电压(基极对射极),所以R2/(R1+R2)xE>=0.7v就可以提供偏置电压令三极管(C-E)导通.再问：乘的那个E是什么再答：E是图右上角的+E，一般+E等如供电

这是共发射极输出特性曲线,是三极管最常用的放大工作状态,也最能体现三极管的性能.共基极和共集电极有各自的输出特性曲线,但用的相对少.

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

正常单个偏置电阻,串在be极上,不会有这样的问题,只会没有偏置电流.你说的情况,可能是并在be极上的电阻,起到分压作用.如果开路,分压作用没了,自然基极电流就会比正常情况大.

三极管是电流控制型元件,基极电压是基本恒定的0.7v,要改变它的工作状态不是采用改变基极电压的方法,因为它变化+-0.1v就会彻底使管子从一个极端变到另一个极端,根本无法通过它来调节,应该采用调节基极

三极管有共射、共基、共集三种放大状态.最常用的是共射,这时,三极管的输入特性是基极电流与基极电压的关系,输出特性是基极电流恒定时集电极电流与集电极/发射极电压的关系

用万用表直接测基极电流,虽说可以,但测试的结与实际工作电流是有差别的,其原因是因为万用表本身有电阻,当把万用表接入电路,就改变了电路的实际工作状态.用不同档位测试结果不同也是这个原因,因万用表的不同档

共射电路的电压放大能力比较强,但电流放大能力很一般,输出功率并不大.另外输出电阻适中,不适合带太大的负载.共基电路的电压放大能力与共射电路接近,电流放大能力比较小,输出功率也小,而且输入电阻小,比较难

乙互补对称功率放大电路的交越失真由于到输入晶体管存在__阻挡（或死的）_电压引起的特性.

基极电阻的值的改变使放大器输入电阻改变,也就是改变了信号源的负载电阻,当然就改变了放大器的输入信号幅度再问：输入信号不是用信号发生器输入的吗？为什么还会受到负载的影响呢？

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是

这个值用处不大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点处的切线斜率.我做三级管放大电路的时候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差

首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端

集电极电压大于基极,才能把电子从晶体管的发射极极运送到集电极极,实现小信号放大,如果集电极电压低于基极,发射极的电子全部通过基极而不进入集电极,晶体管就失去了放大作用