晶体管处于饱和区时三个极的电位关系

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/18 09:50:20
如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态;若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压:若CE电压大于1V,为放大状态;若CE电压小于1V,为饱和状态.

如何利用饱和管压降判断晶体管处于什么状态

最简单的判断三极管的状态就是看集电极的电位,如果集电极电位约等于电源电压,就是截至的,如果约等于饱和压降Uces,就是饱和的,介于这两个电压之间的就是线性放大区,约接近这两个电压之间的中心位置,线性就

PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中___极电位最高.——极电位最低.

PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中E极电位最高.C极电位最低.再问:能在线问您几个问题吗,分数可以追加。很急,下午要考试了。再答:说吧.不用加分.再问:用万用表测处于正常工作晶体管的类型,怎

有关晶体管饱和管压降的问题

书上说的是对的呀,你说的uce小于0.7只是一个范围,范围比较大,它只是相对发射结导通压降而言的,只有这样两结才能同时正偏,实际上你测试的话就在书上说的范围内

12、测得某晶体管在放大区时的各极直流电位如图3-2所示,(1)判定三极管的类型(NPN或者PNP);(2)判

(1)三极管的类型是NPN管;(2)三个电极是1)---基极b、2)---集电极c、3)---发射极e;(3)该晶体管是硅管.

已知晶体管I的三个管脚的电位分别为-6,-2.3,-2,请判别其类型及三个电极.

-2.3和-2之间差0.3,所以这两个是e,b,所以电流是e到c,所以e比b电压高,所以e是-2b是-2.3c是-6

反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能怎么样?

反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能越好.

根据各极电位怎样判断PNP与NPN型晶体管处于什么工作状态?(截止 、饱和、放大、损坏),

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为11V、2V、 2.6V,则该管为

放大电路,硅管Ube约为0.0.7V,由此可知,该三极管为硅管.且11V端为C极,根据三极管发射结正偏,集电结反偏,NPN型UC>UB>UEPNP相反,故为NPN管

12、测得某晶体管在放大区时的各极直流电位如图3-2所示,(1)判定三极管的类型(NPN或者PNP);(2)判定三个电极

(1)三极管的类型是NPN管;(2)三个电极是1)---基极b、2)---集电极c、3)---发射极e;(3)该晶体管是硅管.

为什么可以通过在NPN晶体管的发射极加电阻的方式抬高晶体管的基极电位?

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压(约为0.8V);当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压(仍然约为0.8V)再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

请写出晶体管分别工作在放大区,截止区和饱和区时,发射结和集电结的偏置情况.

晶体管工作在放大区时,发射结正偏置、集电结反偏置;晶体管工作在截止区时,发射结反偏置、零电压或者偏置电压不足以使发射结导通、集电结反偏置;晶体管工作在饱和区时,发射结正偏置、集电结正偏置.

根据各极电位怎样判断PNP与NPN型晶体管处于什么工作状态?(截止 、饱和、放大)

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.(1)截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

NPN晶体管处于放大状态时,各极电位Vb,Vc,Ve正确关系是?

晶体管各极的电压:NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态;晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

NPN晶体管 发射极电位大于基极电位,基极电位大于集电极电位,晶体管处于什么状态

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下:NPN硅管:当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态;当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管:当发射极电位比基极高0.1

晶体管工作状态的判断测得某PNP型晶体管E极电位为6 V,B极电位为2 V,C极电位为0 V,可判断出其工作状态为___

这个管子损坏,答案D原因:PNP管子工作在饱和区和线性区时,其发射结电压降Ueb≈0.7V;管子处于截止状态时,Ueb≤0.3V从所给数据判断,此时Ue=6v,Ub=2VUeb=4V远远大于上述两种值