UBE等于3V为什么三极管处于饱和

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

计算条件不足.故假设U1=U2=0V,则ICQ=((UEE+VBE)/RE)/2(取决对值),UCEQ=UBE+UCC-ICQ*RC.ICQ=((-15+0.7)/10)/2=0.715mAUCEQ=

先回答你的题目：做题目过程中,为了简化,一般假设这个值恒定为0.7V.实际上不是,随着BE电流增大（其实也就是基极电流Ib）UBE的电压也会适当增加,但偏差不大.（下面以国内最经典的模电书,童诗白的那

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

因为在三极管输出回路有一个关系式：VCC=UCE+ICRC.不是你说的UBE=VCC,是UCE=VCC.

放大区:BE结正向偏置,CE结反向偏置截止区,BE结反向偏置或者零偏饱和区:BE结与CE结均正向偏置其中各个区域主要是根据输入输出特性曲线区分的!

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

集电极没有反偏,截止状态再问：不是基极电压高于发射极时才截止么，集电极反偏是什么意思再答：我上面写错了，是集电结。这个结指的是PN结，要看三极管极性。再问：那这类题怎么判断。这个为啥截止啊，集电结反偏

1、Ic=（10-0.7）/3=3.1mA,Au=-60*1500/（300+61*26/3.1）=111,rbe=811Ω,Ro=1.5KΩ.2、Ub=4V,Ic=3.4/2=1.7mA,rbe=3

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

根据题中信息,可得：IB=(Vcc-UBE)/Rb=11.3V/377kΩ≈0.03mA,则IC=50*IB=1.5mA,得UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-1.5*6=3V＞饱和电压,所以管子工

Ib=4.3/5ok=0.086maIC=0.086*50=4.3ma2.5*4.3=10.75管子深度饱和

错.Ube要大于死区电压,基极电流Ib才会产生.Ube小于死区电压三极管处于截止状态.硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在放大状态下,要求Ib与集电极电流Ic呈线性的比例关系,NPN型硅管

集电极电压大于发射极电压就可以判断为NPN管,PNP管是发射极电压大于集电极电压的.NPN管基极比发射极电压高于0.7V为饱和导通状态,低于0.5V为截止状态,所以基极电压比发射极电压高0.6V伏就可

1、Ib=（Vcc-UBE）/Rb=(12-0.6)/230=11.4/230=0.05mA=50uAIc=βIb=50*40=2mAUce=Vcc-Ic*Rc=12-2*3=6V2、图解法：Uce=

三极管V1e=6V;V1b=6.7V=U0(8/12)V.U0=10.05V.这为理论的与实物略有岀入,需在R1.R2调整而得.R2太大稳定性差.

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通