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三极管的输入伏安特性曲线中Ube应该不能大于死区电压,导通后应该等于死区电压,

来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：综合作业 时间：2024/07/14 04:09:59
三极管的输入伏安特性曲线中Ube应该不能大于死区电压,导通后应该等于死区电压,
错.Ube要大于死区电压,基极电流Ib才会产生.Ube小于死区电压三极管处于截止状态.
硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在放大状态下,要求Ib与集电极电流Ic呈线性的比例关系,NPN型硅管的发射结电压Ube为0.0.7V,工作电压区间很小.三极管属于电流控制器件.
再问： 假设它的导通压降为0.7v，我的意思是它导通后可以大于0.7v吗，
再答： 我说过了，三极管属于电流控制器件，电压工作区间很小，电压增加一点点，电流就增加很多，电流超过极限电流，发射结就烧毁了，所以电压不会超过0.7V。
三极管的输入伏安特性曲线中Ube应该不能大于死区电压,导通后应该等于死区电压, 二极管伏安特性上有一个死区电压.什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少? 下面表格是测定二极管的伏安特性曲线的实验数据,要求:分析该二极管死区电压对应电流是多少?正向电压（v） |0|0.3|0 关于二极管的死区电压和导通压降 加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时,二极管（）,硅管的死区电压（）,锗管的死区电压（）,加在... 二极管为什么会出现死区电压? 为什么说三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似? ［选择题］锗二极管的导通电压为（）,死区电压为（）,硅二极管的导通电压为（）,死区电压为（） A. 关于晶体三极管的输入特性曲线,描述为：当Uce为一定值,基极电流iB与基射之间电压uBE的关系曲线. 固定电压下测定稳压二极管的伏安特性曲线实验中应注意什么? 关于二极管的导通, （假设是硅材料）二极管的导通需要两端电压大于死区电压0.5V,然后又说二极管的压降为一常数 三极管的输入特性曲线,十分费解.