XRD中P N说明什么

首先:2THETA值与晶面间距d有关(BRAGG定律),所以,你可以根据2THETA的位置,得到晶系和晶胞参数.即也可以定性.再次:峰的高度,可以用来定量或解析晶体结构,如果制样时产生了择优取向,还可

鉴别物相首先从峰位入手,如果峰位能对上,初步判定为该物质；其次,还要看各衍射峰的强度相对比是否也与标准卡片上的峰强比一致,如果都一样则可肯定为该物质.峰形与样品是晶体还是非晶体有很大关系,如果是馒头峰

我见过的非晶态的物质,二氧化硅微粉就是这样的衍射峰,馒头峰估计是大量微小晶粒衍射的结果.

最简单的特性就是单向导电,复杂的电学、物理学特性太多了.

通过衍射峰的峰位,可以计算该物质的Bragg长周期（L=λ/2θ）,粒度等.还可用于分析特大晶胞物质的结构分析以及测定粒度在几十个纳米以下超细粉末粒子（或固体物质中的超细空穴）的大小、形状及分布.对于

一般说明.P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建

dm指的是用常规方法测得的晶体密度,dx是用衍射方法测得的晶体密度.

峰的面积表示晶体含量,面积越大,晶相含量越高.峰窄说明晶粒大,可以用谢乐公式算晶粒尺寸.峰高如果是相对背地强度高,表示晶相含量高,跟面积表示晶相含量一致.峰高如果是A峰相对B峰高很多,“两峰的高度比A

方面:结晶度的问题.定性:峰强越强,结晶越好!定量:可用软件(比如JADE),计算结晶度.

PN结：采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N

表征的是晶体的晶粒大小,晶粒越小,宽化越严重,反之晶粒越大,衍射峰越尖锐,有个谢乐公式可以根据半峰宽和d值计算晶粒大小,但这公式只能用于计算粒度小于100nm的晶粒.再问：如果半峰宽是0.204，那么

你没必要纠结这个,我们不是搞理论研究的.你只要知道pn节油单向导通特点,会用万用表检测单向导电功能好坏就可以啦.原理是,pn节p型和n型的原子结构不一样,一个是电子型,一个是空穴型,电子和空穴都有扩散

衍射峰位置,多少决定物质的外形,(立方或六方等等),还有晶胞尺寸.(共两个因素)一般来讲,单质元素,小体积.衍射峰就少.正常的.(你可以比对大晶胞和小晶胞的衍射线数量).影响原因:测试角度小了.解决方

N型半导体在硅或锗等本征半导体材料中掺入微量的磷、锑、砷等五价元素,就变成了以电子导电为主的半导体,即N型半导体.在N型半导体中,电子（带负电荷）叫多数载流子,空穴（带正电荷）叫少数载流子.P型半导体

研磨颗粒越细越好,然后确定扫描角度

小角XRD衍射缩写是SAXD,小角XRD散射的缩写是SAXS,二者的原理还是有很大的区别的.衍射对应的是周期性结构引起的相干,而散射对应的是电子密度的波动.具体可以看看这本书：也可以看看附件的那篇文献

多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便

MaximumPeaktoNoiseRatio最大峰值信噪比

和相的多少有关系吧再问：请问到底是何种关系呢？能不能说的具体点·再答：简单说就是试样中每个相衍射线条的强度随该相含量的增加而增加，但是由于试样对X射线的吸收，衍射强度往往不一定与相的含量成正比，需要修

由该物质的结晶状态（晶体,非晶体）晶体结构（bcc,fcchcp）,晶格常数（原子间距）,还有所使用xrd的靶材料决定.