在PN结原理讲解中,漂移电流和扩散电流平衡,

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：综合作业时间：2024/11/09 04:01:42

在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结.
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内电子很多而空穴很少,而P型区内空穴很多电子很少,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别.这样,电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散.于是,有一些电子要从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散.它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子.半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电.这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区.
在出现了空间电荷区以后,由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区就形成了一个内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区.显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,阻止扩散.
另一方面,这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移,使P区的少数载流子电子向N区漂移,漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反.从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱.因此,漂移运动的结果是使空间电荷区变窄,扩散运动加强.
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡.在P型半导体和N型半导体的结合面两侧,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结.PN结的内电场方向由N区指向P区.在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层.
再问：扩散电流的作用力我能理解，但是就是对漂移电流力的方向有些搞不懂，是不是这样理漂移电流P区少子自由电子由P区指向N区，N区少子空穴由N区指向P,电流是由正流向负的，所以漂移电流同N区流到P, 然后扩散电流由N区空穴，也就是正的向负的，刚相反，形成下互制约的电场，所以截止。请问我这样理解对吗？

在PN结原理讲解中,漂移电流和扩散电流平衡, PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法 1．PN结未加外部电压时,扩散电流( )漂移电流. P、N型材料互联形成PN结,P型或N型和金属相联处也有浓度差扩散电流和漂移电流,可以形成类似电荷区吗? 载流子的扩散和漂移为什么说漂移会使PN结变窄,扩散使PN结变宽?扩散为横向,漂移为纵向?请说明白点,呵呵,不懂! 恳求指教：PN结为什么会产生漂移电流呢?根据少子和PN结极性判断应该少子被排斥而远离PN结呀? 关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯 PN结形成是扩散电流的形成原因 pn结加正向电流为什么不马有扩散电流,为什么要大于门槛电压才导通,不是PN结扩散电 PN结为什么加上正向电压后不会马上有扩散电流?要大于0.6才有?不是说只有扩散大于漂移就会有吗? 在pn结中电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? 形成pn结经过了多子的（扩散）运动和勺子的（漂移）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案是多子漂移,少子